公开(公告)号：CN106373940A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610512057.9

申请日：2016-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡喻丞 ,  庄俊杰 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  卢彦池 ,  陈如曦

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2224/80 ,  H01L23/522 ,  H01L21/76838

Abstract: 提供了使用基于铜合金的混合接合件的集成电路(IC)。该IC包括彼此垂直堆叠的一对半导体结构。该对半导体结构包括相应的介电层和布置在介电层中的相应的金属部件。金属部件包括具有铜和再生金属的铜合金。IC进一步包括布置在半导体结构之间的界面处的混合接合件。混合接合件包括将介电层接合在一起的第一接合件和将金属部件接合在一起的第二接合件。第二接合件包括布置在金属部件的铜晶粒之间且由再生金属填充的空隙。还提供了使用基于铜合金的混合接合件用于将一对半导体结构接合在一起的方法。本发明实施例涉及用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件。

公开(公告)号：CN114824084A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210054079.0

申请日：2022-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱景升 ,  杨敦年 ,  蔡喻丞 ,  林孟贤 ,  苏庆忠 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  陈冠华

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/01

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且还沿着上电极的侧壁形成。蚀刻间隔结构以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方去除间隔结构且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层以限定电容器介电层和下电极。本公开还涉及一种电容器结构。