公开(公告)号：CN112018068B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202010467796.7

申请日：2020-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  林杏芝 ,  刘人诚 ,  蔡维道

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。

公开(公告)号：CN112018068A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010467796.7

申请日：2020-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  林杏芝 ,  刘人诚 ,  蔡维道

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。