-
公开(公告)号：CN115910939A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210764345.9
申请日：2022-06-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及包括半导体衬底以及沿半导体衬底设置的多个半导体器件的半导体晶圆结构。包括多个介电层的介电堆叠件布置在半导体衬底上方。导电互连结构位于介电堆叠件内。密封环层位于介电堆叠件上方并且沿介电堆叠件的第一侧壁横向围绕介电堆叠件。密封环层包括延伸至半导体衬底中的第一沟槽中的第一突起。本申请的实施例还涉及半导体晶圆结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN114695403A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110493803.5
申请日：2021-05-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种集成电路、像素传感器及其形成方法。像素传感器包含衬底，所述衬底具有与背侧相对的前侧。图像传感器元件包括设置在衬底内的有源层，其中有源层包括锗。抗反射涂层(ARC)结构上覆于衬底的背侧。ARC结构包含上覆于衬底的背侧的第一介电层、上覆于第一介电层的第二介电层以及上覆于第二介电层的第三介电层。第一介电层的第一折射率小于第二介电层的第二折射率且第三介电层的第三折射率小于第一折射率。
-
公开(公告)号：CN114628258A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110418859.4
申请日：2021-04-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明提供一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区以及第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第一分子键；以及使第一晶片以及第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第二分子键。
-
公开(公告)号：CN109524388B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711085852.5
申请日：2017-11-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/522
摘要： 本发明实施例涉及具有集成电感器的半导体结构。本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；所述衬底上方的第一钝化层；所述第一钝化层上方的第二钝化层；及所述第二钝化层中的磁芯；其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被高电阻隔离层分离，且所述高电阻隔离层具有大于约1.3欧姆‑厘米的电阻率。
-
公开(公告)号：CN107039394B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201611189878.X
申请日：2016-12-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/528
摘要： 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。
-
公开(公告)号：CN115513232A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210059076.6
申请日：2022-01-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种集成电路(IC)及其形成方法。该集成电路包括衬底；导电层配置在衬底上；阻障层配置在导电层上；刻蚀停止层覆盖阻障层的侧壁且在阻障层的顶面的第一部分上延伸；以及至少一电容器结构配置在阻障层的顶面的第二部分上。
-
公开(公告)号：CN114628257A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110418756.8
申请日：2021-04-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的后侧表面之上形成保护性材料层。可移除第二半导体衬底的位于晶片间壕沟沟槽外的外围部分，并且保护性材料层的圆柱形部分在侧向上环绕结合总成的其余部分。在保护性材料层的圆柱形部分保护结合总成的其余部分的同时，可通过执行至少一个薄化工艺将第二半导体衬底薄化到第二厚度。
-
公开(公告)号：CN107039394A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611189878.X
申请日：2016-12-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/52 , H01L23/528
摘要： 本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括半导体衬底；以及互连件结构，其在所述半导体衬底上方。所述半导体结构也包括接垫，所述接垫在所述半导体衬底中且耦合到所述互连件结构。所述接垫包括两个导电层。
-
公开(公告)号：CN109524388A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711085852.5
申请日：2017-11-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/522
摘要： 本发明实施例涉及具有集成电感器的半导体结构。本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；所述衬底上方的第一钝化层；所述第一钝化层上方的第二钝化层；及所述第二钝化层中的磁芯；其中所述磁芯包含第一磁性材料层及在所述第一磁性材料层上方的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层及所述第二磁性材料层被高电阻隔离层分离，且所述高电阻隔离层具有大于约1.3欧姆-厘米的电阻率。
-
公开(公告)号：CN221149944U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202320964816.0
申请日：2023-04-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 在一些实施例中，本实用新型是关于一种双修整刀片工具，其包括：一壳体。一晶圆卡盘位于所述壳体内，用于容纳晶圆堆栈。一控制电路配置为控制所述晶圆卡盘。一具有第一刀片宽度的第一修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路指示在所述晶圆堆栈的中心部分和周边部分之间切割环状沟渠。以及一具有第二刀片宽度的第二修整刀片，位于所述晶圆卡盘上方的所述壳体内，并配置为按照所述控制电路的指示移除所述晶圆堆栈中的所述周边部分，所述第二刀片宽度大于所述第一刀片宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.03 秒)
