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公开(公告)号:CN115497844A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210172293.6
申请日:2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明是关于用于分析经接合工件的界面的方法和相关的工艺工具。所述方法包括产生电磁辐射,电磁辐射定向朝着一对经接合的工件的周边且定向朝着设置在经接合的工件的周边后方的辐射传感器。沿着以电磁辐射进行扫描。测量整个所述扫描冲击在辐射传感器上的电磁辐射的强度。测量强度包括沿延伸通过一对经接合的工件的顶表面及底表面的垂直轴在多个不同的位置处记录电磁辐射的多个强度值。基于多个强度值的最大测量到的强度值,来确定一对经接合的工件之间的界面的位置。本发明可以提高经接合的工件之间的界面的位置的准确性。
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公开(公告)号:CN113257733B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202010909895.6
申请日:2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种高度可调式半导体晶片支撑件。所述高度可调式半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑所述吸盘的顶表面。台座耦合到所述调节机构,从而使得所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。
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公开(公告)号:CN113257733A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202010909895.6
申请日:2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种高度可调式半导体晶片支撑件。所述高度可调式半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑所述吸盘的顶表面。台座耦合到所述调节机构,从而使得所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。
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公开(公告)号:CN115249636A
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202210722582.9
申请日:2022-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01J37/317
Abstract: 一种晶圆定位方法及离子暴露装置,晶圆定位方法包括放置晶圆于布植机压板上,晶圆包括多个集成电路晶粒;通过用相机测量集成电路晶粒的外边缘的位置,测量晶圆的位置;确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移;以及将布植机压板旋转角位移。
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