公开(公告)号：CN110875174A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910739722.1

申请日：2019-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鍾政哲 ,  蔡伊甄 ,  郭景森 ,  黄才铭 ,  陈界璋 ,  许峰嘉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 在一种半导体装置的制造方法中，具有开口的第一层在基板上形成。第二层形成于第一层与基板上方。光阻图案形成于第一层开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；执行回蚀操作以平坦化第二层。

公开(公告)号：CN111128861A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

公开(公告)号：CN111128861B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。