公开(公告)号：CN109427970A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810986570.0

申请日：2018-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伊甄 ,  刘世昌

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种相变化存储器(PCM)单元，具有增强的热隔离以及低功耗。在一些实施例中，相变化存储器单元包括下电极、介电层、加热元件以及相变化元件。介电层在下电极上。加热元件从介电层的顶部延伸穿过介电层到达下电极。此外，加热元件具有一对相对的侧壁，其通过空穴与介电层横向地隔开。相变化元件覆盖并接触加热元件。相变化元件与加热元件之间的一界面个别地从加热元件的这对相对的侧壁中的一者连续地延伸至这对相对的侧壁中的另一者。亦提供了一种相变化存储器单元制造方法。

公开(公告)号：CN110875174A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910739722.1

申请日：2019-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鍾政哲 ,  蔡伊甄 ,  郭景森 ,  黄才铭 ,  陈界璋 ,  许峰嘉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 在一种半导体装置的制造方法中，具有开口的第一层在基板上形成。第二层形成于第一层与基板上方。光阻图案形成于第一层开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；执行回蚀操作以平坦化第二层。

公开(公告)号：CN112670409A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010460082.3

申请日：2020-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伊甄 ,  曾元泰 ,  徐晨祐

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

公开(公告)号：CN109427971A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810989997.6

申请日：2018-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡伊甄 ,  刘世昌

IPC: H01L45/00

Abstract: 本公开实施例提供的相变化存储单元在加热器与相变化元件之间具有低偏差接触区。相变化存储单元包含底电极、介电层、加热器、相变化元件、与顶电极。介电层位于底电极上。加热器自底电极向上延伸穿过介电层。此外，加热器的上表面实质上平坦，且低于介电层的上表面。相变化元件位于介电层上，并凸出至介电层中以接触加热器的上表面。本公开实施例亦提供相变化存储单元的形成方法。