公开(公告)号：CN100461440C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610128861.3

申请日：2006-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  喻中一 ,  黄宗勋 ,  许慈轩 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。

公开(公告)号：CN1925165A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610128861.3

申请日：2006-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  喻中一 ,  黄宗勋 ,  许慈轩 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。

公开(公告)号：CN101246831A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710137155.X

申请日：2007-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅学弘 ,  张志维 ,  陈世昌 ,  张锦标 ,  潘兴强 ,  林威戎 ,  黄宗勋

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2831 ,  H01L22/12

Abstract: 在半导体制造工艺中测试晶圆以及找出产生缺陷原因的方法。一种在晶圆上形成当前最上层之后测试晶圆的方法。在形成当前最上层后收集晶圆的由多个晶圆曲率变化量推导得出应力数据。应力数据包括：晶圆上有限区域集合中各区域的x方向应力与y方向应力，上述应力是由各区域的x方向及y方向晶圆曲率变化量推导得出；以及由xy平面晶圆曲率变化量推出的xy平面剪切应力，其中xy平面晶圆曲率变化量为有限区域集合中各区域的晶圆扭转变化量。计算并使用应力梯度向量(及其基准)评估一个或多个目前层。本发明能指出有问题的步骤或程序，实现测试方法的完全自动化。

公开(公告)号：CN1677621A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410091236.7

申请日：2004-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  林国楹 ,  黄宗勋 ,  喻中一 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林杏莲 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在金属－绝缘体－金属(metal－insulator－metal，MIM)电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间的界面层的生成，来改善金属－绝缘体－金属电容的性能。本方法一般包括：图案化衬底，以在衬底中形成冠状的电容开口；在每一冠状开口中沉积下电极；对下电极进行快速热处理(RTP)或炉内退火步骤；将介电层沉积在退火后的下电极上；利用无电浆化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)过程将上电极沉积在介电层上；以及图案化每一个金属－绝缘体－金属电容的上电极。

公开(公告)号：CN1877793A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200510125717.X

申请日：2005-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄宗勋 ,  林国楹 ,  喻中一 ,  吴志达 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明是提供一种降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，其中该方法包括提供一半导体基底，至少在该半导体基底上形成一元件，在该半导体基底上形成一第一介电层，使该第一介电层覆盖该元件，在该第一介电层上形成一含氢层，在该第一介电层以及该含氢层上形成一氮化硅层，以及将该含氢层中的氢原子导入该第一介电层中。本发明所述降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，可避免在氢形成气体回火步骤的过程中，氮化硅层阻挡到氢的渗透，可使氢原子可顺利到达例如金属间介电层之中，用以修复位于金属间介电层之中的悬键，因此可达到降低漏电流的效果。