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公开(公告)号：CN106935487B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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公开(公告)号：CN106935487A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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