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公开(公告)号：CN103489883B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310134088.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。
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公开(公告)号：CN102222674A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010279058.6
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/18
Abstract: 描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法，其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或深度可以不充分的长波长光或光线来说特别有用，尤其是对于背面照度BSI器件。反射屏可以使穿过图像传感器并反射回到光电二极管的光的吸收深度加倍或者比两倍还多。凹形反射屏具有引导反射光朝向图像传感器的附加优点。
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公开(公告)号：CN103489883A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310134088.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。
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公开(公告)号：CN102222674B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010279058.6
申请日：2010-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/18
Abstract: 本发明描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法，其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或深度可以不充分的长波长光或光线来说特别有用，尤其是对于背面照度BSI器件。反射屏可以使穿过图像传感器并反射回到光电二极管的光的吸收深度加倍或者比两倍还多。凹形反射屏具有引导反射光朝向图像传感器的附加优点。
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