公开(公告)号：CN108987419A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710833697.4

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  杜建男 ,  吴明锜 ,  叶玉隆 ,  姜吉亨

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN104952892A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410682658.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106057837B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108987419B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710833697.4

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  杜建男 ,  吴明锜 ,  叶玉隆 ,  姜吉亨

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN111834383A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010607629.8

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104952892B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201410682658.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106257633B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106257633A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106057837A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。