公开(公告)号：CN107039331B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。

公开(公告)号：CN107039331A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。