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公开(公告)号：CN111627943B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010096046.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。
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公开(公告)号：CN113053934A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110026097.3
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 揭示一种影像感测器装置及其形成方法。装置包括设置在半导体层的第一表面上方的多个像素。装置包括设置在第一表面上方的装置层。装置包括设置在装置层上方的多个金属化层。金属化层中的一者包括至少一个导电结构，金属化层中的此者比金属化层的其他者更接近第一表面。装置包括设置在半导体层的第二表面上方的氧化物层，第二表面与第一表面相对，氧化物层亦内衬于凹部，凹部延伸穿过半导体层。装置包括设置在凹部的多个内侧壁与氧化物层之间的间隔层。装置包括衬垫结构，衬垫结构延伸穿过氧化物层及装置层以与至少一个导电结构实体接触。
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公开(公告)号：CN106558478B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106816469A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610672025.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在此提供一种用于制造一半导体结构的方法，而且此方法包括以下步骤。栅极结构形成于基板上，及形成衬里层以覆盖栅极结构及基板。间隔物层形成于衬里层上，及连续提供蚀刻气体以将基板维持在第二压力下而移除间隔物层的一部分。此蚀刻气体具有第一压力。第二压力大于第一压力。
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公开(公告)号：CN103378110B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210340217.8
申请日：2012-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本发明描述一种装置及其制造方法，该装置是半导体电路器件，其具有在半导体衬底上界定有源区域和外围区域以电隔离有源区域中的结构与外围区域中的结构的浅沟槽隔离部件。界定有源区域的浅沟槽隔离部件浅于界定外围区域的浅沟槽隔离部件，其中通过两个以上蚀刻步骤形成外围区域浅沟槽隔离结构。本发明公开了双轮廓浅沟槽隔离装置和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102438391B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201110306800.2
申请日：2007-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动，因此，可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。
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公开(公告)号：CN1507957A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310103618.2
申请日：2003-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈柏仁
CPC classification number: H01L21/02052 , G03F7/42 , H01L21/31133
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗的旋转湿制程及其设备，在用以承载基板的旋转台上，加入一加温装置，使得基板表面温度与喷嘴所喷洒的化学清洗剂温度相同。如此，基板表面具有黏度均匀的化学清洗剂，而可得到清洗效果均匀且稳定的清洗制程。
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公开(公告)号：CN113053928B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010802671.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。
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公开(公告)号：CN111987115B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010453454.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053928A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010802671.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。
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