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公开(公告)号：CN106558478B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106558478A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L21/027 , C23C16/44
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN112310134B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010758224.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
Abstract: 一种方法包括在半导体衬底中形成图像传感器。第一对准标记形成为靠近半导体衬底的前侧。该方法还包括执行背侧抛光工艺以减薄半导体衬底，在半导体衬底的背侧上形成第二对准标记，以及在半导体衬底的背侧上形成部件。使用用于对准的第二对准标记形成部件。本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN112310134A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010758224.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
Abstract: 一种方法包括在半导体衬底中形成图像传感器。第一对准标记形成为靠近半导体衬底的前侧。该方法还包括执行背侧抛光工艺以减薄半导体衬底，在半导体衬底的背侧上形成第二对准标记，以及在半导体衬底的背侧上形成部件。使用用于对准的第二对准标记形成部件。本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法。
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