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公开(公告)号：CN106558478B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN106816469A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610672025.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在此提供一种用于制造一半导体结构的方法，而且此方法包括以下步骤。栅极结构形成于基板上，及形成衬里层以覆盖栅极结构及基板。间隔物层形成于衬里层上，及连续提供蚀刻气体以将基板维持在第二压力下而移除间隔物层的一部分。此蚀刻气体具有第一压力。第二压力大于第一压力。
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公开(公告)号：CN100562974C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810008526.9
申请日：2008-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32091
Abstract: 一种蚀刻反应系统，包括一蚀刻反应室、一气体输送管、一上射频电极、一下射频电极、一抽气泵、一底座、一集中环及一挡块。蚀刻反应室具有一排气口。气体输送管连接于蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入至蚀刻反应室之中。上射频电极设置于蚀刻反应室之上。下射频电极设置于蚀刻反应室之下。蚀刻工艺气体通过上射频电极及下射频电极的运作而转化成等离子体。抽气泵连接于排气口。底座设置于蚀刻反应室之中。集中环设置于底座之上，用以容置一晶片。挡块设置于集中环之上，并且对应于排气口，用以使流经晶片的表面的等离子体均匀分布。
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公开(公告)号：CN109727837A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711033218.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体设备及及等离子体设备监测方法，其中等离子体设备包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；以及一遮光装置，设置于透光元件上。等离子体设备还包括一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。
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公开(公告)号：CN106558478A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610707664.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/28035 , H01L21/28123 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L29/66568 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L21/027 , C23C16/44
Abstract: 提供了一种形成半导体器件结构的方法，半导体器件结构包括在衬底上方形成膜。半导体器件结构包括在膜上方形成第一掩模层。半导体器件结构包括在第一掩模层上方形成第二掩模层。第二掩模层暴露出第一掩模层的第一部分。半导体器件结构包括实施等离子体蚀刻和沉积工艺以去除第一掩模层的第一部分和以在第二掩模层的第一侧壁的上方形成保护层。在等离子体蚀刻和沉积工艺之后，第一掩模层暴露出膜的第二部分。半导体器件结构包括将第一掩模层和第二掩模层用作蚀刻掩模去除第二部分。本发明实施例涉及形成半导体器件结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101281859A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810008526.9
申请日：2008-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32091
Abstract: 一种蚀刻反应系统，包括一蚀刻反应室、一气体输送管、一上射频电极、一下射频电极、一抽气泵、一底座、一集中环及一挡块。蚀刻反应室具有一排气口。气体输送管连接于蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入至蚀刻反应室之中。上射频电极设置于蚀刻反应室之上。下射频电极设置于蚀刻反应室之下。蚀刻工艺气体通过上射频电极及下射频电极的运作而转化成等离子体。抽气泵连接于排气口。底座设置于蚀刻反应室之中。集中环设置于底座之上，用以容置一晶片。挡块设置于集中环之上，并且对应于排气口，用以使流经晶片的表面的等离子体均匀分布。
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公开(公告)号：CN109768058B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201810414185.9
申请日：2018-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述介电层上。接合垫设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连。虚设图案设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。
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公开(公告)号：CN109727837B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201711033218.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体设备及及等离子体设备监测方法，其中等离子体设备包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；以及一遮光装置，设置于透光元件上。等离子体设备还包括一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。
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公开(公告)号：CN106816469B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610672025.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在此提供一种用于制造一半导体结构的方法，而且此方法包括以下步骤。栅极结构形成于基板上，及形成衬里层以覆盖栅极结构及基板。间隔物层形成于衬里层上，及连续提供蚀刻气体以将基板维持在第二压力下而移除间隔物层的一部分。此蚀刻气体具有第一压力。第二压力大于第一压力。
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公开(公告)号：CN109768058A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810414185.9
申请日：2018-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述介电层上。接合垫设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连。虚设图案设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。
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