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公开(公告)号：CN109768058B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201810414185.9
申请日：2018-05-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述介电层上。接合垫设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连。虚设图案设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。
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公开(公告)号：CN115602615A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210003424.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。
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公开(公告)号：CN115602613A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210003025.1
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种用于制造一半导体结构的方法，包括于一介电结构中形成沟槽，其个别由所述介电结构的侧表面界定；在所述侧表面上形成间隔层；将一导电材料填入所述沟槽中以形成导电特征件；将一阻挡层选择性地沉积于所述介电结构上；将一电介质材料选择性地沉积在所述导电特征件上以形成一覆盖层；移除所述阻挡层及所述介电结构以形成凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽中；形成一维持层以覆盖所述牺牲特征件；移除所述牺牲特征件以获得形成由所述维持层及所述间隔层所围束的气隙的所述半导体结构。
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公开(公告)号：CN110007162B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201811442955.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: G01R31/00
Abstract: 本揭露提供用于监测瞬态时间的电路、方法以及系统。电路包括电性耦接到受测试装置的瞬态边缘削波器电路。所述瞬态边缘削波器电路被配置成去除受测试装置的电压波形的超过阈值范围的电压电平以产生经削波电压波形。所述电路还包括电性耦接到瞬态边缘削波器电路的逻辑电路。所述逻辑电路被配置成通过注入预定时间延迟来产生经削波电压波形的时间延迟的脉冲信号表示形式。所述电路还包括电性耦接到逻辑电路的转换器电路。所述转换器电路被配置成基于脉冲信号表示形式产生电流信号。
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公开(公告)号：CN115603727A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210430510.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体器件，包括输入端、电平转换器、输出端和开关模块。输入端被配置为接收第一电压域中的输入信号。电平转换器连接到输入端并且被配置为将输入信号从第一电压域转换到第二电压域。开关模块被配置为将输入端和电平转换器中的一个连接到输出端。还公开了一种减轻半导体器件的输入信号和输出信号之间的延迟的方法。
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公开(公告)号：CN115602681A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111005963.7
申请日：2021-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW) , 台积电(中国)有限公司(CN)
IPC: H01L27/02 , H01L23/66 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，并且TSV延伸穿过衬底；ESD单元，靠近TSV的第一端并与TSV区域接触，ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电连接到TSV的第二端；以及天线，电连接到天线焊盘并在第一方向中延伸，第一方向平行于TSV的长轴。半导体器件包括：导电柱，在衬底的与天线焊盘相同的一侧平行于TSV延伸，其中，导电柱的第一端电连接到天线焊盘，并且导电柱的第二端电连接到ESD单元的该组二极管。
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公开(公告)号：CN115602618A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210007384.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口；选择性地在所述开口中形成阻挡层；形成蚀刻终止层以覆盖所述第一介电层并露出所述阻挡层；在所述蚀刻终止层上形成第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔并露出所述导电特征件；及将导电材料填入所述通孔以形成互连件，所述互连件与所述导电特征件电连接。
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公开(公告)号：CN115602617A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210007296.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，其包含形成多个彼此分隔开的虚设结构；形成多个介电间隔件，所述介电间隔件侧向覆盖所述虚设结构，以形成多个由所述介电间隔件所界定出的沟槽；将导电材料填入所述沟槽，以形成导电特征件；于所述导电特征件上选择性沉积罩盖材料，以形成罩盖层；移除所述虚设结构，以形成多个由所述介电间隔件所界定出的凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽内，以形成牺牲特征件；于所述牺牲特征件上沉积维持层；以及移除所述牺牲特征件，以形成由所述维持层与所述介电间隔件所局限的气隙。
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公开(公告)号：CN115602614A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210003421.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，包括于介电结构中形成沟槽；在由所述沟槽所暴露的所述介电结构的侧表面上形成间隔层；在形成所述间隔层之后，在所述沟槽中形成第一导电特征件；移除所述介电结构的至少部分以形成凹槽；在所述凹槽中及所述第一导电特征件之上形成蚀刻停止层；以及在形成所述蚀刻停止层后，于所述凹槽中且于所述第一导电特征件之上沉积介电层。
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公开(公告)号：CN109598398B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201810410023.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)
Abstract: 一种集成电路制造工作程序相似性评估方法和系统的方法包含：针对工具日志变量集合中的第一工具日志变量，将来自第一集成电路制造工作程序的第一工具日志变量结果与来自第二集成电路制造工作程序的第一工具日志变量结果进行比较。所述工具日志变量集合对应于由在集成电路制造工具上执行所述第一集成电路制造工作程序和所述第二集成电路制造工作程序而生成的一个或多个工具日志。基于所述比较，针对所述第一工具日志变量分配第一工具日志变量相似性值，并且基于所述第一工具日志变量相似性值，计算针对所述第一集成电路制造工作程序和所述第二集成电路制造工作程序的工作程序相似性值。
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