-
公开(公告)号：CN115602681A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111005963.7
申请日：2021-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW) , 台积电(中国)有限公司(CN)
IPC: H01L27/02 , H01L23/66 , H01L21/768
Abstract: 本申请涉及集成有硅穿孔的静电放电保护单元和天线。一种半导体器件，包括：硅穿孔(TSV)，在衬底中的TSV区域中，并且TSV延伸穿过衬底；ESD单元，靠近TSV的第一端并与TSV区域接触，ESD单元包括彼此并联电连接的一组二极管；天线焊盘，电连接到TSV的第二端；以及天线，电连接到天线焊盘并在第一方向中延伸，第一方向平行于TSV的长轴。半导体器件包括：导电柱，在衬底的与天线焊盘相同的一侧平行于TSV延伸，其中，导电柱的第一端电连接到天线焊盘，并且导电柱的第二端电连接到ESD单元的该组二极管。
Search Results
1
records
(took 0.035 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
