公开(公告)号：CN115602614A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210003421.4

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 吴杰翰 ,  朱慧捷 ,  余安棣 ,  魏慈慧 ,  蔡政勋 ,  李忠儒 ,  杨士亿 ,  请求不公布姓名

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，包括于介电结构中形成沟槽；在由所述沟槽所暴露的所述介电结构的侧表面上形成间隔层；在形成所述间隔层之后，在所述沟槽中形成第一导电特征件；移除所述介电结构的至少部分以形成凹槽；在所述凹槽中及所述第一导电特征件之上形成蚀刻停止层；以及在形成所述蚀刻停止层后，于所述凹槽中且于所述第一导电特征件之上沉积介电层。

公开(公告)号：CN115602620A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210011779.1

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 叶菁馥 ,  钟进龙 ,  李书玮 ,  詹佑晨 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，其包括：在一基板上设置一接触特征件；在所述基板上形成一介电层；蚀刻所述介电层以形成露出所述接触特征件的一互连通道；在所述介电层上及所述接触特征件以外区域上形成一金属层；以及在所述金属层上形成一石墨烯导电结构，所述石墨烯导电结构填入所述互连通道且与所述接触特征件电连接，所述石墨烯导电结构具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一实质垂直于所述基板的方向延伸。

公开(公告)号：CN115602616A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210007264.4

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 郭子骏 ,  杨士亿 ,  詹佑晨 ,  李书玮 ,  卢孟佩 ,  李明翰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文揭示一种半导体结构，包括一基板、一介电层及一石墨烯导电结构。所述介电层设置于该基板上，且具有垂直于所述基板的一内侧面。所述石墨烯导电结构形成于所述介电层中并且具有至少一石墨烯层，所述石墨烯层在一平行所述介电层的内侧面的方向延伸。