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发明公开
用于制造半导体装置的方法无效

公开(公告)号：CN115602615A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210003424.8

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 罗廷亚 , 李劭宽 , 邓志霖 , 蔡承孝 , 李承晋 , 杨光玮 , 黄心岩 , 张孝慷 , 眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。

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