公开(公告)号：CN115602615A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210003424.8

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 罗廷亚 ,  李劭宽 ,  邓志霖 ,  蔡承孝 ,  李承晋 ,  杨光玮 ,  黄心岩 ,  张孝慷 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。

公开(公告)号：CN115602618A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210007384.4

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 李劭宽 ,  李承晋 ,  蔡承孝 ,  罗廷亚 ,  邓志霖 ,  黄心岩 ,  张孝慷 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口；选择性地在所述开口中形成阻挡层；形成蚀刻终止层以覆盖所述第一介电层并露出所述阻挡层；在所述蚀刻终止层上形成第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔并露出所述导电特征件；及将导电材料填入所述通孔以形成互连件，所述互连件与所述导电特征件电连接。