公开(公告)号：CN115602615A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210003424.8

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 罗廷亚 ,  李劭宽 ,  邓志霖 ,  蔡承孝 ,  李承晋 ,  杨光玮 ,  黄心岩 ,  张孝慷 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。

公开(公告)号：CN115602613A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210003025.1

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 黄心岩 ,  罗廷亚 ,  李劭宽 ,  邓志霖 ,  李承晋 ,  眭晓林 ,  张孝慷

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造一半导体结构的方法，包括于一介电结构中形成沟槽，其个别由所述介电结构的侧表面界定；在所述侧表面上形成间隔层；将一导电材料填入所述沟槽中以形成导电特征件；将一阻挡层选择性地沉积于所述介电结构上；将一电介质材料选择性地沉积在所述导电特征件上以形成一覆盖层；移除所述阻挡层及所述介电结构以形成凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽中；形成一维持层以覆盖所述牺牲特征件；移除所述牺牲特征件以获得形成由所述维持层及所述间隔层所围束的气隙的所述半导体结构。

公开(公告)号：CN115602618A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210007384.4

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 李劭宽 ,  李承晋 ,  蔡承孝 ,  罗廷亚 ,  邓志霖 ,  黄心岩 ,  张孝慷 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口；选择性地在所述开口中形成阻挡层；形成蚀刻终止层以覆盖所述第一介电层并露出所述阻挡层；在所述蚀刻终止层上形成第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔并露出所述导电特征件；及将导电材料填入所述通孔以形成互连件，所述互连件与所述导电特征件电连接。