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1.

发明授权
互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法有权

公开(公告)号：CN109768058B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201810414185.9

申请日：2018-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 辜瑜倩 , 董怀仁 , 廖耕颍 , 陈益弘 , 徐世勋 , 杨怡芳

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述介电层上。接合垫设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连。虚设图案设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。

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