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公开(公告)号：CN111627943B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010096046.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包含形成光感区域于基材的前侧上。形成第一层于基材的后侧且第一层被图案化以形成多个网格线。网格线可定义出多个第一区域和多个第二区域。第二层可形成于后侧、网格线、第一区域和第二区域的暴露部分上，且第三层形成于第二层上。第二层和第三层可具有不同的蚀刻速率，且第三层被图案化，从而可由多个第一区域上方除去第三层。
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公开(公告)号：CN113053934A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110026097.3
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 揭示一种影像感测器装置及其形成方法。装置包括设置在半导体层的第一表面上方的多个像素。装置包括设置在第一表面上方的装置层。装置包括设置在装置层上方的多个金属化层。金属化层中的一者包括至少一个导电结构，金属化层中的此者比金属化层的其他者更接近第一表面。装置包括设置在半导体层的第二表面上方的氧化物层，第二表面与第一表面相对，氧化物层亦内衬于凹部，凹部延伸穿过半导体层。装置包括设置在凹部的多个内侧壁与氧化物层之间的间隔层。装置包括衬垫结构，衬垫结构延伸穿过氧化物层及装置层以与至少一个导电结构实体接触。
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公开(公告)号：CN118712051A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410693237.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L27/146 , C09K13/08
Abstract: 一种半导体结构及制造半导体结构的方法。制造半导体结构的方法包括放置金属催化剂在半导体的表面上。接着，执行金属辅助化学蚀刻，包括使半导体浸泡于蚀刻剂溶液中，并使用金属催化剂催化蚀刻剂溶液与半导体之间的蚀刻化学反应，以在半导体中形成通道。在至少一部分的金属辅助化学蚀刻期间，半导体被以半导体的表面的表面法线与重力呈一非零角度的方式浸泡于蚀刻剂溶液中。在一些实施例中，半导体的位向在金属辅助化学蚀刻期间改变，以在半导体中形成具有至少一转折或曲线部分的通道。
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公开(公告)号：CN115527878A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210353919.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L27/11517
Abstract: 一种测试结构、半导体元件及其形成方法，半导体元件包括记忆体单元元件阵列的记忆体区及包括测试记忆体单元结构的测试区。测试记忆体单元结构包括在基材的第一凸起部分上的第一栅极堆叠、邻近于第一凸起部分且在基材的第一凸起部分与第二凸起部分之间的一区中的第一多晶硅结构、邻近于第一多晶硅结构的第一间隔物，以及在第二凸起部分上的第二栅极堆叠、邻近于第二凸起部分且在第一凸起部分与第二凸起部分之间的区中的第二多晶硅结构，以及邻近于第二多晶硅结构的第二间隔物。半导体元件包括在记忆体区的至少一部分及测试区的至少一部分上方的层间介电层。
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公开(公告)号：CN109727837A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711033218.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体设备及及等离子体设备监测方法，其中等离子体设备包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；以及一遮光装置，设置于透光元件上。等离子体设备还包括一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053928B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010802671.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。
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公开(公告)号：CN109727837B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201711033218.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体设备及及等离子体设备监测方法，其中等离子体设备包括：一工艺腔，具有一通孔；一晶片座，设置于工艺腔内；一透光元件，设置于通孔内；以及一遮光装置，设置于透光元件上。等离子体设备还包括一光学检测器，设置于遮光装置上；以及一光谱分析装置，耦接于光学检测器。
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公开(公告)号：CN113053928A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010802671.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。
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公开(公告)号：CN112310134B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010758224.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
Abstract: 一种方法包括在半导体衬底中形成图像传感器。第一对准标记形成为靠近半导体衬底的前侧。该方法还包括执行背侧抛光工艺以减薄半导体衬底，在半导体衬底的背侧上形成第二对准标记，以及在半导体衬底的背侧上形成部件。使用用于对准的第二对准标记形成部件。本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN112310134A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010758224.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
Abstract: 一种方法包括在半导体衬底中形成图像传感器。第一对准标记形成为靠近半导体衬底的前侧。该方法还包括执行背侧抛光工艺以减薄半导体衬底，在半导体衬底的背侧上形成第二对准标记，以及在半导体衬底的背侧上形成部件。使用用于对准的第二对准标记形成部件。本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法。
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