公开(公告)号：CN115527878A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210353919.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  宋至伟 ,  林子平 ,  董怀仁 ,  陈柏仁 ,  吴彦柔 ,  杨永隆

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/11517

Abstract: 一种测试结构、半导体元件及其形成方法，半导体元件包括记忆体单元元件阵列的记忆体区及包括测试记忆体单元结构的测试区。测试记忆体单元结构包括在基材的第一凸起部分上的第一栅极堆叠、邻近于第一凸起部分且在基材的第一凸起部分与第二凸起部分之间的一区中的第一多晶硅结构、邻近于第一多晶硅结构的第一间隔物，以及在第二凸起部分上的第二栅极堆叠、邻近于第二凸起部分且在第一凸起部分与第二凸起部分之间的区中的第二多晶硅结构，以及邻近于第二多晶硅结构的第二间隔物。半导体元件包括在记忆体区的至少一部分及测试区的至少一部分上方的层间介电层。

公开(公告)号：CN113053928B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202010802671.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  董怀仁 ,  宋至伟 ,  陈柏仁 ,  辜瑜倩 ,  林玉珠 ,  任啟中 ,  吴彦柔 ,  曹淳凯 ,  杨永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。

公开(公告)号：CN113053928A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010802671.5

申请日：2020-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  董怀仁 ,  宋至伟 ,  陈柏仁 ,  辜瑜倩 ,  林玉珠 ,  任啟中 ,  吴彦柔 ,  曹淳凯 ,  杨永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。