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公开(公告)号:CN101150910B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200710085457.7
申请日:2007-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法,该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈,该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变,而可调式上电极或上线圈包括两部分,这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动,因此,可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。
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公开(公告)号:CN1982500A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610152333.1
申请日:2006-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种指示器的形成方法,包括下列步骤:提供一块状材料;形成多个贯穿孔于该块状材料中;以及分割该块状材料以成为多个分离的构件,每个构件包括一个上述贯穿孔,其中每个构件形成该指示器的围封物,该指示器是用来对于一可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的指示器的形成方法,可降低物理气相沉积靶材的消耗成本,制造成本以及增加获利。
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公开(公告)号:CN101145501B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200710105083.0
申请日:2007-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体制造方法及系统,该方法包括在第一设备上对第一基底进行加工,同时检测到第一制造参数的至少一个数值。接着,分析上述第一制造参数,以便产生至少一个第一预测参数值。其次,比对上述第一预测参数值与第一既定参数值,以便产生至少一个第一比对结果。接着,应用对应上述第一比对结果所产生的第一工艺条件,以在上述第一设备上对第二基底进行加工。本发明可提高晶粒的生产率与合格率。
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公开(公告)号:CN101145501A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200710105083.0
申请日:2007-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体制造方法及系统,该方法包括在第一设备上对第一基底进行加工,同时检测到第一制造参数的至少一个数值。接着,分析上述第一制造参数,以便产生至少一个第一预测参数值。其次,比对上述第一预测参数值与第一既定参数值,以便产生至少一个第一比对结果。接着,应用对应上述第一比对结果所产生的第一工艺条件,以在上述第一设备上对第二基底进行加工。本发明可提高晶粒的生产率与合格率。
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公开(公告)号:CN102832188B
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201210078611.9
申请日:2012-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘,其中,PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方,其中,聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。
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公开(公告)号:CN102438391B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201110306800.2
申请日:2007-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法,该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈,该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变,而可调式上电极或上线圈包括两部分,这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动,因此,可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。
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公开(公告)号:CN101630629B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200810192972.X
申请日:2008-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/321 , H01L21/768 , B24B29/00 , B24B37/04 , B24B55/00
CPC classification number: B24B37/015 , B24B55/02
Abstract: 一种用于在晶片上加工集成电路的方法,其包括提供设备供应的室温溶液;将所述设备供应的室温溶液的温度控制到期望的温度设定点,以得到清洗溶液;以及使用所述清洗溶液清洗抛光垫。接着通过化学机械抛光工艺对晶片进行抛光。
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公开(公告)号:CN102832188A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210078611.9
申请日:2012-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘,其中,PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方,其中,聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。
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公开(公告)号:CN100560784C
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200610152331.2
申请日:2006-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种侦测制程机台使用的消耗性材料厚板寿命的系统及方法。提供消耗性材料厚板,其具有至少一指示器。操作制程机台时,通过连接于该指示器的侦测器产生的信号数值判定其是否等于警示设定数值、介于警示设定数值和警报设定数值间、等于警报设定数值或超出警报设定数值。若信号数值等于警示设定数值或介于警示设定数值和警报设定数值间,提供第一警示,表示消耗性材料厚板接近预定量,该预定量小于消耗性材料厚板原本的量。若信号数值介于警示设定数值和警报设定数值间,提供第二警示,表示消耗性材料厚板接近预定量。若信号数值等于或超过警报设定数值,提供警报,表示消耗性材料厚板接近预定量或减少至预定量。本发明可最佳化靶材的利用。
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公开(公告)号:CN102438391A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110306800.2
申请日:2007-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/321
Abstract: 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法,该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈,该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变,而可调式上电极或上线圈包括两部分,这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动,因此,可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。
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