发明授权
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
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申请号: CN201410825950.8申请日: 2014-12-25
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公开(公告)号: CN104752378B公开(公告)日: 2018-09-25
- 发明人: 蔡纾婷 , 杨敦年 , 刘人诚 , 陈思莹 , 陈愉婷
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权: 14/141,000 2013.12.26 US
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L25/065 ; H01L21/768
摘要:
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中,半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片,第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第二导电部件。导电插塞设置成穿过第一导电部件并且连接到第二导电部件。该导电插塞包括设置在第一导电部件上方的第一部分和设置在第一导电部件之下或内的第二部分,第一部分具有第一宽度。第二部分具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。
公开/授权文献
- CN104752378A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2015-07-01
IPC分类: