公开(公告)号：CN114464634A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110320061.6

申请日：2021-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢俊良 ,  邱钲皓 ,  林焕恩 ,  周俊豪 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法，半导体影像感测器包括像素。像素包括第一基板；以及在第一基板中的光电二极管。半导体影像感测器还包括电性连接到像素的互连件结构。半导体影像感测器还包括在介于互连件和光电二极管之间的反射结构，其中反射结构配置为将穿过光电二极管的光反射回朝向光电二极管。

公开(公告)号：CN117012793A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310530997.0

申请日：2023-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  贾钧伟 ,  卢俊良 ,  翁伟智 ,  邱钲皓

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及CMOS图像传感器。一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；图像像素区域；以及黑色电平校准(BLC)区域，邻近图像像素区域。BLC区域包括：暗电流感测电路，包括设置在衬底中的光电二极管；第一密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域；第二密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域，使得暗电流感测电路设置在第一密封环和第二密封环之间；不透明覆盖，设置在第一表面之上并覆盖暗电流感测电路、第一密封环和第二密封环；以及一个或多个第一沟槽隔离结构，从第一表面延伸到衬底的内部，并设置在第一密封环和不透明覆盖之间。

公开(公告)号：CN119384055A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410503918.1

申请日：2024-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈稳仲 ,  魏嘉余 ,  李国政 ,  邱钲皓 ,  余琇琪 ,  黄薰莹 ,  苏明宏

IPC: H10F39/18

Abstract: 本申请公开了图像传感器结构。提供了一种图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器结构包括：半导体衬底，该半导体衬底包括光电二极管；转移栅晶体管，设置在半导体衬底之上并具有第一沟道面积；第一电介质层，设置在半导体衬底之上；半导体层，设置在第一电介质层之上；源极跟随器晶体管，设置在半导体层之上并具有第二沟道面积；行选择晶体管，设置在半导体层之上并具有第三沟道面积；以及复位晶体管，设置在半导体层之上并具有第四沟道面积。第二沟道面积大于第一沟道面积、第三沟道面积或第四沟道面积。

公开(公告)号：CN222015413U

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202420095212.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  杜建男 ,  贾钧伟 ,  杜泽宇 ,  洪雅敏 ,  邱钲皓 ,  卢俊良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露所述的影像感测器装置的像素感测器阵列可包含深沟渠隔离结构，其包含延伸至影像感测器装置的基材中的多个深沟渠隔离部分。深沟渠隔离部分的两个或多个次组合可延伸在像素感测器阵列的像素感测器的光电二极管周围，且可延伸不同的深度至基材中。不同的深度可使通过光电二极管产生的光电流被合并，并用来产生联合光电流。不同的深度可使光子在光电二极管中混合，其可使四象限光感测器合并以提升相位检测自动对焦的效能。提升的相位检测自动对焦效能可包含增加自动对焦速度、增加高动态范围、增加量子效率及/或增加满井转换。