公开(公告)号：CN106960834B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201611126433.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  黄薰莹

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。

公开(公告)号：CN106960834A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611126433.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  黄薰莹

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。

公开(公告)号：CN103137633B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN109427833B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201711246848.2

申请日：2017-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄薰莹

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供光感测元件及其形成方法，光感测元件包括半导体基板及位于半导体基板中的光感测区域。光感测元件亦包括位于半导体基板之上的光反射零件。光感测区域介于光反射零件及半导体基板的光接收表面之间。光反射零件包括多对介电层的堆叠，每一对介电层具有第一介电层及第二介电层，且第一介电层具有与第二介电层不同的折射率。

公开(公告)号：CN109148492A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710864165.7

申请日：2017-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  朱益兴 ,  黄胤杰 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  黄薰莹 ,  陈信吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14625

Abstract: 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。

公开(公告)号：CN106920807A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610755423.3

申请日：2016-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  黄薰莹 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供了具有反射器的前照式(FSI)图像传感器。光电探测器掩埋在传感器衬底中。支撑衬底布置在传感器衬底下方并且接合至传感器衬底。反射器布置在光电传感器下方、传感器衬底和支撑衬底之间，并且配置为朝向光电探测器反射入射辐射。同样提供了用于制造具有反射器的FSI图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN103107175B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210239820.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁伟智 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  卓金鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。

公开(公告)号：CN103107175A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210239820.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁伟智 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  卓金鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。

公开(公告)号：CN119384055A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410503918.1

申请日：2024-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈稳仲 ,  魏嘉余 ,  李国政 ,  邱钲皓 ,  余琇琪 ,  黄薰莹 ,  苏明宏

IPC: H10F39/18

Abstract: 本申请公开了图像传感器结构。提供了一种图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器结构包括：半导体衬底，该半导体衬底包括光电二极管；转移栅晶体管，设置在半导体衬底之上并具有第一沟道面积；第一电介质层，设置在半导体衬底之上；半导体层，设置在第一电介质层之上；源极跟随器晶体管，设置在半导体层之上并具有第二沟道面积；行选择晶体管，设置在半导体层之上并具有第三沟道面积；以及复位晶体管，设置在半导体层之上并具有第四沟道面积。第二沟道面积大于第一沟道面积、第三沟道面积或第四沟道面积。

公开(公告)号：CN106960835B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201611193565.1

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  黄薰莹

IPC: H01L23/538

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件结构，半导体器件结构包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。半导体器件结构还包括位于第一半导体管芯和第二半导体管芯之间的钝化层，以及钝化层直接接合至第二半导体管芯的第二层间介电层。半导体器件结构还包括位于通穴中并且直接接合至第二半导体管芯的第二导电线的导电部件。半导体器件结构还包括位于导电部件和钝化层之间的第二阻挡层，第二阻挡层覆盖导电部件的侧壁和导电部件的靠近第一半导体管芯的表面。本发明实施例涉及具有堆叠半导体管芯的半导体器件结构。