Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"陈稳仲" Page 1

1.

发明公开
图像传感器结构审中-实审

公开(公告)号：CN119384055A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410503918.1

申请日：2024-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈稳仲 , 魏嘉余 , 李国政 , 邱钲皓 , 余琇琪 , 黄薰莹 , 苏明宏

IPC: H10F39/18

Abstract: 本申请公开了图像传感器结构。提供了一种图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器结构包括：半导体衬底，该半导体衬底包括光电二极管；转移栅晶体管，设置在半导体衬底之上并具有第一沟道面积；第一电介质层，设置在半导体衬底之上；半导体层，设置在第一电介质层之上；源极跟随器晶体管，设置在半导体层之上并具有第二沟道面积；行选择晶体管，设置在半导体层之上并具有第三沟道面积；以及复位晶体管，设置在半导体层之上并具有第四沟道面积。第二沟道面积大于第一沟道面积、第三沟道面积或第四沟道面积。

Patent Agency Ranking