公开(公告)号：CN103137633A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN103137633B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。