公开(公告)号：CN103107175B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210239820.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁伟智 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  卓金鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。

公开(公告)号：CN103107175A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210239820.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁伟智 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  卓金鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。