公开(公告)号：CN106206313A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510321307.6

申请日：2015-06-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  谢志民 ,  蔡富村 ,  李永发 ,  黄智睦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

摘要： 本发明的一些实施例提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：接收FinFET前体，该FinFET前体包括形成在隔离区域之间的鳍结构以及形成在鳍结构的一部分上方栅极结构，使得鳍结构的侧壁与栅极结构的栅极间隔件接触；图案化鳍结构，以包括从隔离区域突出的至少一个向上阶梯的图案；在鳍结构、隔离区域和栅极结构上方形成覆盖层；对FinFET前体执行退火工艺，以沿着向上阶梯形成至少两个位错；以及去除覆盖层。本发明还提供了半导体器件结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN104253099A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310485244.9

申请日：2013-10-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴尚彦 ,  陈奕志 ,  刘宜升 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  郑志成 ,  陈英豪

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L24/05 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种包括设置在衬底上的光感测区的半导体器件，该半导体器件包括具有位于焊盘元件下方的一个或多个图案化的层的接合结构。焊盘元件可连接至光感测区并且可形成在设置在衬底上的第一金属层中。器件的第二金属层具有第一接合区，第一接合区是位于焊盘元件下方的第二金属层的区域。第二金属层的第一接合区包括被介电质介入的多个导线的图案。通孔连接焊盘元件和第二金属层。本发明还提供了一种制造接合结构的方法。

公开(公告)号：CN104253099B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310485244.9

申请日：2013-10-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴尚彦 ,  陈奕志 ,  刘宜升 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  郑志成 ,  陈英豪

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L24/05 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种包括设置在衬底上的光感测区的半导体器件，该半导体器件包括具有位于焊盘元件下方的一个或多个图案化的层的接合结构。焊盘元件可连接至光感测区并且可形成在设置在衬底上的第一金属层中。器件的第二金属层具有第一接合区，第一接合区是位于焊盘元件下方的第二金属层的区域。第二金属层的第一接合区包括被介电质介入的多个导线的图案。通孔连接焊盘元件和第二金属层。本发明还提供了一种制造接合结构的方法。

公开(公告)号：CN104377183B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410341703.0

申请日：2014-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  陈英豪 ,  郑志成 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  林昆辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。

公开(公告)号：CN109950243B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201811432632.X

申请日：2018-11-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  萧茹雄 ,  林景彬 ,  黄智睦 ,  蔡富村

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 一种半导体器件包括：第一鳍结构和第二鳍结构，设置在衬底上，分别平行于轴延伸；第一栅极部件，横穿第一鳍结构以覆盖第一鳍结构的中心部分；第二栅极部件，横穿第二鳍结构以覆盖第二鳍结构的中心部分；第一间隔件，包括：第一部分，包括两个层，两个层分别从第一栅极部件的侧壁朝向轴的相反方向延伸；以及第二部分，包括两个层，两个层分别从第一间隔件的第一部分的侧壁朝向轴的相反方向延伸；第二间隔件，包括两个层，两个层分别从第二栅极部件的侧壁朝向轴的相反方向延伸。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN109950243A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811432632.X

申请日：2018-11-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  萧茹雄 ,  林景彬 ,  黄智睦 ,  蔡富村

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

摘要： 一种半导体器件包括：第一鳍结构和第二鳍结构，设置在衬底上，分别平行于轴延伸；第一栅极部件，横穿第一鳍结构以覆盖第一鳍结构的中心部分；第二栅极部件，横穿第二鳍结构以覆盖第二鳍结构的中心部分；第一间隔件，包括：第一部分，包括两个层，两个层分别从第一栅极部件的侧壁朝向轴的相反方向延伸；以及第二部分，包括两个层，两个层分别从第一间隔件的第一部分的侧壁朝向轴的相反方向延伸；第二间隔件，包括两个层，两个层分别从第二栅极部件的侧壁朝向轴的相反方向延伸。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN104377183A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410341703.0

申请日：2014-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  陈英豪 ,  郑志成 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  林昆辉

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。

公开(公告)号：CN109841570B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201811061472.2

申请日：2018-09-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡富村 ,  黄同隽 ,  陈奕志 ,  郑志成

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。

公开(公告)号：CN106206313B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201510321307.6

申请日：2015-06-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈奕志 ,  谢志民 ,  蔡富村 ,  李永发 ,  黄智睦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

摘要： 本发明的一些实施例提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：接收FinFET前体，该FinFET前体包括形成在隔离区域之间的鳍结构以及形成在鳍结构的一部分上方栅极结构，使得鳍结构的侧壁与栅极结构的栅极间隔件接触；图案化鳍结构，以包括从隔离区域突出的至少一个向上阶梯的图案；在鳍结构、隔离区域和栅极结构上方形成覆盖层；对FinFET前体执行退火工艺，以沿着向上阶梯形成至少两个位错；以及去除覆盖层。本发明还提供了半导体器件结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109841570A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811061472.2

申请日：2018-09-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡富村 ,  黄同隽 ,  陈奕志 ,  郑志成

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 一种半导体装置、制造半导体装置的方法及用于执行半导体装置的方法。实施于包含基板的结构上的方法，此基板具有用于逻辑装置的第一区域和用于射频(RF)装置的第二区域、位于第一区域上方的第一鳍片和第一栅极结构、位于第二区域上方的第二鳍片和第二栅极结构以及位于栅极结构侧壁上方的栅极间隔物。此方法包含对第一鳍片进行第一蚀刻制程以形成第一凹口；以及对第二鳍片进行第二蚀刻制程以形成第二凹口。第一和第二蚀刻制程被调整为在至少一参数上不同，使得第一凹口比第二凹口浅，且第一凹口与第一栅极结构之间纵向沿着第一鳍片的第一距离小于第二凹口与第二栅极结构之间纵向沿着第二鳍片的第二距离。