半导体工艺设备、涂覆设备及其排出装置

    公开(公告)号:CN109671641B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN201710964140.4

    申请日:2017-10-17

    Abstract: 一种半导体工艺设备,包括材料供应源、加工腔室、载台、喷嘴、排出泵以及排出装置。载台位在加工腔室内,用以承载待加工物。喷嘴位在加工腔室内并且设置于待加工物的上方。此外,喷嘴连接材料供应源,用以提供材料到待加工物上。排出泵位在加工腔室外。排出装置设置于载台下方,幷且包括排出管、弯管以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。涂覆设备及其排出装置亦被提出。

    半导体工艺设备、涂覆设备及其排出装置

    公开(公告)号:CN109671641A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201710964140.4

    申请日:2017-10-17

    Abstract: 一种半导体工艺设备,包括材料供应源、加工腔室、载台、喷嘴、排出泵以及排出装置。载台位在加工腔室内,用以承载待加工物。喷嘴位在加工腔室内并且设置于待加工物的上方。此外,喷嘴连接材料供应源,用以提供材料到待加工物上。排出泵位在加工腔室外。排出装置设置于载台下方,幷且包括排出管、弯管以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。涂覆设备及其排出装置亦被提出。

    半导体装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222721869U

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202421235842.0

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 一种半导体装置包含:第一区域以及第二区域。第一区域包括:第一主动区域的第一区段和含金属的栅极结构。在截面侧视图中含金属的栅极结构在垂直方向设置在主动区域的第一区段上方。第二区域包括:主动区域的第二区段和介电质结构。介电质结构在截面侧视图中在垂直方向设置在主动区域的第二区段上方,其中在平面俯视图中,主动区域的第二区段比主动区域的第一区段厚。

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