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公开(公告)号：CN109585476B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811147275.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p‑n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。
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公开(公告)号：CN109728007A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810371930.6
申请日：2018-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其包括半导体衬底、多个滤色器、多个第一透镜和第二透镜。半导体衬底包括排列成阵列的多个传感像素，每一所述多个传感像素分别包括多个图像传感单元和多个相位检测单元。滤色器至少覆盖所述多个图像传感单元。第一透镜设置在所述多个滤色器上。多个第一透镜中的每一个分别覆盖多个图像传感单元中的一个。第二透镜设置在多个滤色器上，且第二透镜覆盖多个相位检测单元上。
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公开(公告)号：CN110010628B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201811384924.0
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。
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公开(公告)号：CN109585470B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810826083.8
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有改进的量子效率的半导体图像传感器。半导体图像传感器包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体层。互连结构设置在半导体层的第一表面上，并且多个辐射感测区域形成在半导体层中。辐射感测区域被配置为感测从第二表面进入半导体层的辐射，并且多个槽结构形成在半导体层的第二表面上。本发明的实施例还涉及具有改进的量子效率表面结构的图像传感器。
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公开(公告)号：CN109841640A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810434110.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728007B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201810371930.6
申请日：2018-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，其包括半导体衬底、多个滤色器、多个第一透镜和第二透镜。半导体衬底包括排列成阵列的多个传感像素，每一所述多个传感像素分别包括多个图像传感单元和多个相位检测单元。滤色器至少覆盖所述多个图像传感单元。第一透镜设置在所述多个滤色器上。多个第一透镜中的每一个分别覆盖多个图像传感单元中的一个。第二透镜设置在多个滤色器上，且第二透镜覆盖多个相位检测单元上。
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公开(公告)号：CN109216494B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810698562.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。
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公开(公告)号：CN107046043B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201611237958.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种形成具有以前侧至背侧配置连接的层级的多维集成芯片的方法以及相关的装置。在一些实施例中，通过在第一衬底内形成一个或多个半导体器件，在第二衬底内形成一个或多个图像感测元件，以及通过接合结构将第一衬底上方的第一介电结构接合至第二衬底的背侧来实施该方法。形成包括多个不同部分且延伸穿过接合结构和第二衬底的层间互连结构，多个不同部分分别具有不同侧壁角度的侧壁。层间互连结构配置为将第一衬底上方的第一金属互连层电连接至第二衬底上方的第二金属互连层。本发明实施例涉及具有层间互连件的堆叠衬底结构。
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公开(公告)号：CN109585470A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810826083.8
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有改进的量子效率的半导体图像传感器。半导体图像传感器包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体层。互连结构设置在半导体层的第一表面上，并且多个辐射感测区域形成在半导体层中。辐射感测区域被配置为感测从第二表面进入半导体层的辐射，并且多个槽结构形成在半导体层的第二表面上。本发明的实施例还涉及具有改进的量子效率表面结构的图像传感器。
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公开(公告)号：CN109841640B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810434110.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。
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