公开(公告)号：CN109585476B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811147275.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉余 ,  陈信吉 ,  李国政 ,  林炳豪 ,  黄熏莹 ,  林彦良 ,  高于婷

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p‑n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。

公开(公告)号：CN109216494B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201810698562.6

申请日：2018-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉余 ,  高于婷 ,  林彦良 ,  许文义 ,  黄熏莹 ,  李国政 ,  陈信吉

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。

公开(公告)号：CN109585476A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811147275.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉余 ,  陈信吉 ,  李国政 ,  林炳豪 ,  黄熏莹 ,  林彦良 ,  高于婷

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p-n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。

公开(公告)号：CN109216494A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810698562.6

申请日：2018-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉余 ,  高于婷 ,  林彦良 ,  许文义 ,  黄熏莹 ,  李国政 ,  陈信吉

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。