公开(公告)号：CN112687634B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010093038.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H10B80/00

Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。

公开(公告)号：CN109817519A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811380594.8

申请日：2018-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 鲁珺地 ,  李孟津 ,  吕芳谅 ,  刘致为

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体的制造方法包括在半导体基板上形成掺杂区域，其中掺杂区域包含杂质，及利用包含掺杂剂气体的处理气体对掺杂区域执行激光退火制程，其中掺杂剂气体与杂质包含同一化学元素。

公开(公告)号：CN112687634A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010093038.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。

公开(公告)号：CN221960970U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202323249302.6

申请日：2023-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  于宗源 ,  林彦良 ,  张智浩 ,  刘家宏 ,  黄子松 ,  林柏均 ,  陈世伟 ,  刘重希 ,  倪培荣 ,  黄信维 ,  蔡政刚 ,  刘泰佑 ,  施伯昌 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  庄钧智 ,  黄榆婷 ,  宋瑞文 ,  王榆景 ,  张根育 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H10B12/00

Abstract: 本实用新型提供一种封装，半导体晶粒以及前侧与背侧重布线结构。背侧重布线结构包括第一重布线层和背侧连接件，自第一重布线层的远侧延伸，且包括具有朝向远离第一重布线层的方向缩减的宽度的渐缩部分。渐缩部分包括在端部的接触面。封装可藉由优化背侧重布线结构的厚度提供可控的封装翘曲、可消除对于激光钻孔的需求并因此消除接着性问题产生的不良影响、可消除在背侧层形成空腔的需求且因此减少被环境污染的风险、还减少导致背侧重布线结构中的裂缝的应力。