-
公开(公告)号:CN115775787A
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202210797626.4
申请日:2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L25/18
Abstract: 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网;在第一金属网上方形成第一介电层;以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层,将器件管芯附接在第二介电层上方,其中,器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠,将器件管芯密封在密封剂中,以及在器件管芯上方形成再分布线,并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。
-
公开(公告)号:CN109560076A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201711131655.2
申请日:2017-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 一种集成扇出型封装包括第一管芯及第二管芯、包封体、及重布线结构。第一管芯及第二管芯分别具有有源表面、与有源表面相对的后表面、及位于有源表面上的导电柱。第一与第二管芯是不同类型的管芯。第一管芯的有源表面及后表面分别与第二管芯的有源表面及后表面齐平。第一管芯的导电柱的顶表面与第二管芯的导电柱的顶表面齐平。第一管芯的导电柱与第二管芯的导电柱被相同的材料包绕。包封体包封第一管芯的侧壁及第二管芯的侧壁。包封体的第一表面与有源表面齐平且第二表面与后表面齐平。重布线结构设置在第一管芯、第二管芯、及包封体上。
-
公开(公告)号:CN108122858A
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201710301689.5
申请日:2017-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/18 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/3107 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/023 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379
Abstract: 提供封装结构及其形成方法,封装结构包含集成电路裸片位于封装层中。封装结构也包含第一保护层覆盖封装层和集成电路裸片,且第二保护层位于第一保护层上方。封装结构还包含籽晶层和导电层位于第二保护层中,籽晶层覆盖第一保护层的顶表面并延伸进入第一保护层中,导电层覆盖籽晶层并延伸进入第一保护层中。此外,封装结构包含第三保护层覆盖第二保护层,籽晶层更沿着导电层的侧壁从第一保护层的顶表面延伸至第三保护层。
-
-