公开(公告)号：CN107210263A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009910.3

申请日：2016-03-31

申请人： 德州仪器公司

发明人： 本杰明·S·库克 ,  胡安·亚力杭德罗·赫布佐默

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L23/50 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H05K1/167 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0802 ,  H05K1/09 ,  H05K1/097 ,  H05K3/1283 ,  H05K3/30 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1157

摘要： 所描述的实例包含通过直写可变阻抗图案化使用基于纳米颗粒的金属化层或基于化学反应的沉积制造导电及电阻结构的方法(100)。在一些实例(100)中，将低导电率纳米颗粒材料沉积(110)于表面之上。在所施加的不同能级下，经由照明源功率调整及/或扫描速率调整选择性地照明(112、114、116)所述纳米颗粒材料，以用于选择性图案化烧结来创造包含梯度电阻电路结构的导电电路结构以及电阻电路结构，所述梯度电阻电路结构具有沿着结构长度改变的电阻率轮廓。另外实例包含方法，其中沉积或图案化非导电反应物层，且使用加成沉积来沉积不同量的第二溶液以与所述反应物层反应以形成可控导电结构。

公开(公告)号：CN108122858A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710301689.5

申请日：2017-05-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈星兆 ,  林志伟 ,  林敬尧 ,  郑明达 ,  谢静华

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/18 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/02 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379

摘要： 提供封装结构及其形成方法，封装结构包含集成电路裸片位于封装层中。封装结构也包含第一保护层覆盖封装层和集成电路裸片，且第二保护层位于第一保护层上方。封装结构还包含籽晶层和导电层位于第二保护层中，籽晶层覆盖第一保护层的顶表面并延伸进入第一保护层中，导电层覆盖籽晶层并延伸进入第一保护层中。此外，封装结构包含第三保护层覆盖第二保护层，籽晶层更沿着导电层的侧壁从第一保护层的顶表面延伸至第三保护层。

公开(公告)号：CN106538080A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039363.9

申请日：2015-07-15

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 加藤祯启 ,  小柏尊明 ,  中岛洋一 ,  市川崇章 ,  川下和晃

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L21/4846 ,  B32B3/266 ,  B32B15/20 ,  B32B37/02 ,  B32B37/187 ,  B32B38/04 ,  B32B38/10 ,  B32B2260/021 ,  B32B2305/076 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/206 ,  B32B2311/12 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/12 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/46 ,  H01L2924/00

摘要： 一种层叠体，其是通过至少具有如下工序的制造方法制造出的，即：准备第一中间层叠体的工序，该第一中间层叠体具有载体基板和金属层，该载体基板在内部含有支承体，该金属层形成在该载体基板的至少一个面且能够剥离；通过在所述第一中间层叠体的不成为产品的部分形成从所述第一中间层叠体的表面至少到达所述载体基板中的所述支承体的第一孔，制作带有所述第一孔的第二中间层叠体的工序；在所述第二中间层叠体的形成有所述第一孔的所述表面上，自所述表面侧按照绝缘材料和金属箔的顺序层叠配置绝缘材料以及金属箔，一边对所述第二中间层叠体、所述绝缘材料以及所述金属箔进行加热一边沿着它们的层叠方向进行加压，从而制作在所述第一孔中填充有所述绝缘材料的第三中间层叠体的工序；以及使用药液对所述第三中间层叠体进行处理的工序。

公开(公告)号：CN101916746A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200910168053.3

申请日：2006-03-17

申请人： 同和电子科技有限公司

发明人： 大鹿嘉和 ,  中野雅之

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L33/00 ,  H05K1/11

CPC分类号： H05K1/111 ,  B23K35/001 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/341 ,  H05K3/388 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/48

摘要： 本发明提供一种具有钎焊接合时的浸润性良好的电极层的副安装座和其制造方法。在搭载半导体装置的副安装座(1)中，在副安装座基板(2)的表面上形成基板保护层(3)，在基板保护层(3)上形成电极层(4)，在电极层(4)上形成钎焊层(5)，使电极层(4)的表面的平均粗糙度为低于0.1μm。由于电极层(4)的表面平均粗糙度较小，所以钎焊层(5)的浸润性提高，能够无焊剂地将钎焊层(5)与半导体装置之间牢固地接合。能够得到在搭载了半导体装置时热阻较小的副安装座(1)，半导体装置的温度上升变小，半导体装置的性能及寿命提高。

公开(公告)号：CN100575401C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200310120611.1

申请日：2003-12-15

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 明凡永 ,  李丙虎 ,  李亮制 ,  杨德稹

IPC分类号： C08K5/17 ,  C08J7/12 ,  H05K3/38

CPC分类号： H01L21/4864 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0029 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/385 ,  H05K2203/0315

摘要： 本发明公开了一种用于清洁铜表面及改进聚酰亚胺表面粘合性的棕色氧化物预处理组合物，及通过将组合物施加到棕色氧化物工艺中从而改进聚酰亚胺表面粘合性方法。用于清洁铜表面及改进聚酰亚胺表面粘合性的棕色氧化物预处理组合物，包括5～15g/L的胺；190～210g/L的氢氧化物化合物；至少一种添加剂选自3～6g/L清洁剂助剂、0.1～5g/L的防沫剂和1～10g/L的沉淀抑制剂；和余量水。当将用于清洁铜表面及改进聚酰亚胺表面粘合性的棕色氧化物预处理组合物施加到棕色氧化物工艺预处理步骤中时，其可清洁铜表面并改进聚酰亚胺表面的粘合性。

公开(公告)号：CN1942281A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011996.5

申请日：2005-04-06

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 笹冈达雄 ,  堀江聪 ,  青仓勇 ,  八木能彦 ,  深田和岐

IPC分类号： B23K20/24 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC分类号： B23K1/203 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3489 ,  H05K3/383 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0307 ,  Y10S438/974 ,  Y10T156/1023 ,  Y10T156/14 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明实现一种接合方法及其装置，在利用初始清洗工序(S1)将被接合物(1b、2a)的表面进行清洗、除去氧化物及吸附物等妨碍接合物质(G)之后，利用表面粗糙度控制工序(S3)在一方的接合面(1b)上形成规定粗糙度的凹凸，并利用表面处理工序(S5)除去附着在接合面(1b、2a)上的再吸附物(F)，将形成了凹凸的接合面(1b)与另一方的接合面(2a)压紧，进行接合，通过这样能够在大气压条件下进行常温金属接合。

公开(公告)号：CN1635830A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02814535.6

申请日：2002-06-12

申请人： 快捷技术工具公司

发明人： 乔治·J·席斯勒 ,  埃里克·P·贝格森 ,  大卫·L·莱林

IPC分类号： A01M31/00

CPC分类号： A01K97/00 ,  A01M31/00 ,  H01L21/4864 ,  H01L2224/75 ,  H05K3/3489

摘要： 一种手持或便携式设备(1)，其配置为考虑多个因素，由此可以对捕鱼或狩猎之类的运动成功条件进行预测。在一个实施例中，这些因素可包括：月亮信息元件(2)、太阳信息元件(3)、气压信息元件(4)和温度信息元件(5)，它们(直接或间接地)向组合元件(6)提供输入，以及运动成功预测元件(7)，其向用户提供简化的或其它的显示。可以通过未来时间预测元件(17)针对现在或遥远的时间和日期计算复合气压－月亮－太阳－温度效应。

公开(公告)号：CN108172518A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711306890.9

申请日：2017-12-11

申请人： 上海申和热磁电子有限公司

发明人： 戴洪兴 ,  贺贤汉 ,  王斌

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4864 ,  H01L21/4867

摘要： 本发明提供一种新的工艺方法制作耐高温胶粘接的基板，在用耐高温胶粘合铜片和陶瓷之前，先用硅烷偶联剂和含氨基偶联剂对陶瓷和铜片表面进行处理，大大提高耐高温胶与铜片和陶瓷粘接强度，提高产品良率，从而达到改善基板的抗热震性目的。

公开(公告)号：CN106887422A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610688826.0

申请日：2016-08-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  林俊成 ,  符策忠

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

公开(公告)号：CN103597742A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201380001003.0

申请日：2013-06-13

申请人： 西凯渥资讯处理科技公司

发明人： 霍华德·E·陈 ,  亦凡·郭 ,  庭福·吴·黄 ,  迈赫兰·贾纳尼 ,  田·敏·古 ,  菲利浦·约翰·勒托拉 ,  安东尼·詹姆斯·洛比安可 ,  哈迪克·布潘达·莫迪 ,  黄·梦·阮 ,  马修·托马斯·奥扎拉斯 ,  山德拉·刘易斯·培帝威克 ,  马修·肖恩·里德 ,  詹斯·阿尔布雷希特·理吉 ,  大卫·史蒂芬·雷普利 ,  宏晓·邵 ,  宏·沈 ,  卫明·孙 ,  祥志·孙 ,  帕特里克·劳伦斯·韦尔奇 ,  小彼得·J·札帕帝 ,  章国豪

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种功率放大器模块，其包含：功率放大器，其包含GaAs双极晶体管，所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极，所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×1016cm-3的掺杂浓度，所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级；及RF发射线，其由所述功率放大器驱动，所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层，所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层，所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。