公开(公告)号：CN102637608B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210029757.4

申请日：2012-02-10

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 ,  陈康

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂，并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路，并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。

公开(公告)号：CN102986013B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180032510.1

申请日：2011-04-28

申请人： 美敦力公司

发明人： D·A·鲁本 ,  M·F·马特斯 ,  J·R·史密斯

IPC分类号： H01L21/60 ,  A61B5/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L21/98 ,  A61N1/375

CPC分类号： H01L24/81 ,  A61B5/00 ,  A61B5/0402 ,  A61N1/375 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012

摘要： 公开了一种可植入医疗设备(IMD)。该IMD包括第一衬底，第一衬底具有前侧和后侧。在前侧中形成第一通孔，该通孔从位于前侧的底部点延伸至位于前侧的表面处的第一高度。在第一通孔中形成第一导电垫，且第一导电垫具有低于第一高度的暴露的顶部表面。第二衬底耦合至第一衬底，第二衬底具有形成在前侧中的第二通孔，该通孔从前侧的底部点延伸至位于前侧表面的第二高度。在第二通孔中形成第二导电垫，且第二导电垫具有低于第二高度的暴露的顶部表面。被耦合的衬底被加热，直到一个或两个导电垫的一部分回流、反浸润、凝聚、并合并来形成互连、气密密封、或两者，这取决于设备的要求。

公开(公告)号：CN104752401A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410858222.7

申请日：2014-11-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·马哈詹 ,  N·德什潘德 ,  J·S·居泽科 ,  A·埃尔谢尔比尼

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L23/4985 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/113 ,  H05K1/116 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本公开内容总体上涉及包括衬底和电子部件的系统和方法。所述衬底包括包含孔的电路板、布线层和至少部分地设置在所述孔内的第一互连件部分。所述电子部件包括耦合到所述第一互连件部分的第二互连件部分，以在所述电子部件与所述布线层之间形成互连件。

公开(公告)号：CN104517921A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310463714.1

申请日：2013-09-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 陈福成

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16111

摘要： 一种键合基底及其形成方法、三维封装结构及其形成方法，所述键合基底包括：晶圆；位于所述晶圆上的绝缘层、及多个焊盘，相邻两个所述焊盘被绝缘层隔开，所述焊盘包括：焊盘底部、及位于所述焊盘底部上方的焊盘凸部，所述焊盘底部的上表面低于或齐平于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部的上表面高于绝缘层的上表面，所述焊盘凸部在晶圆表面上的投影，位于所述焊盘底部在晶圆表面上的投影内。解决了现有利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法容易造成相邻两个焊盘短路的问题。

公开(公告)号：CN103299721A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064832.4

申请日：2011-12-20

申请人： 贺利实公司

发明人： 路易斯·约瑟夫·小伦代克 ,  特拉维斯·L·克尔比 ,  凯西·菲利普·罗德里古泽

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K3/28 ,  H05K3/34 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K1/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/032 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/281 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造电子装置的方法，其包括形成电路层，所述电路层在液晶聚合物LCP衬底上且具有至少一个焊料衬垫。所述方法还包括形成LCP焊料掩模，所述LCP焊料掩模中具有可与所述至少一个焊料衬垫对准的至少一个孔隙。所述方法进一步包括使所述LCP焊料掩模与所述LCP衬底对准且将所述LCP焊料掩模与所述LCP衬底层叠在一起，接着将焊料膏定位于所述至少一个孔隙中。可接着使用所述焊料膏将至少一个电路组件附接到所述至少一个焊料衬垫。

公开(公告)号：CN102637608A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210029757.4

申请日：2012-02-10

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 ,  陈康

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO-WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂，并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路，并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。

公开(公告)号：CN1938839A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010547.9

申请日：2005-01-12

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 大内明 ,  村上朝夫

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本发明在将半导体元件和布线基板的间隙进行树脂密封而形成的半导体装置和其制造方法中，实现高可靠性的电连接。在布线基板(1)的上面设置电极焊盘(5)和阻焊膜(7)，在阻焊膜(7)上形成开口部(7a)以使电极焊盘(5)露出，在半导体元件(2)的下面设置电极(4)。并且，经由凸块(3)将电极(4)连接在电极焊盘(5)上。进而，在布线基板(1)和半导体元件(2)之间的空间中除了凸块(3)和阻焊膜(7)的部分上，设置由树脂构成的底部填充树脂(6)。并且，使得在布线基板(1)和半导体元件(2)之间，阻焊膜(7)的厚度(B)为阻焊膜(7)上的底部填充树脂(6)的厚度(A)以上。另外，使凸块(3)的体积(Vb)小于开口部(7a)的容积(Vs)。

公开(公告)号：CN107689358A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710284396.0

申请日：2017-04-27

申请人： 胡迪群

发明人： 胡迪群

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49838 ,  H05K1/111

摘要： 本发明涉及一种金属垫结构，第一金属垫和第二金属垫配置在封装基材的顶表面上；所述第一金属垫的顶表面与所述第二金属垫的顶表面呈现非平面配置；第一平整金属配置在所述第一金属垫的顶表面上；第二平整金属设置在所述第二金属垫的顶表面上；所述第一平整金属的顶表面与所述第二平整金属的顶表面呈现共平面配置。本发明在所述第一金属垫的顶面上配置有第一平整金属，并且在所述第二金属垫的顶面上配置第二平整金属；第一平整金属和第二平整金属的顶表面，呈现共平面结构，能有效克服不同材料间的热膨胀系数不匹配或是制程误差而导致封装基材弯曲，进而引起焊接不良的问题。本发明还公开了该金属垫结构的制造方法。

公开(公告)号：CN106601622A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610643423.4

申请日：2016-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李明机 ,  刘重希 ,  古进誉 ,  郭宏瑞 ,  亚历山大·卡尔尼茨基 ,  何明哲 ,  吴逸文 ,  陈清晖 ,  刘国洲

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11001

摘要： 一种方法包括在导电焊盘上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层并且蚀刻第二介电层以形成第一开口，第一介电层的顶面暴露于第一开口。形成模板层以填充第一开口。然后，在模板层和第一介电层中形成第二开口，导电焊盘的顶面暴露于第二开口。在第二开口中形成导电柱。本发明的实施例还涉及接合结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106575624A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043798.0

申请日：2015-08-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·K·宋 ,  H·B·蔚 ,  D·W·金 ,  K-P·黄

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H05K1/0207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本文中提供了一种集成器件，其包括基板、管芯、位于基板与管芯之间的热耗散层、以及配置成将管芯耦合至热耗散层的第一互连。热耗散层可被配置成为接地信号提供电路径。该第一互连可被进一步配置成将热量从管芯传导到热耗散层。该集成器件还可包括配置成将管芯耦合至基板的第二互连。该第二互连可被进一步配置成在管芯与基板之间传导功率信号。该集成器件还可包括位于热耗散层与基板之间的电介质层和位于管芯与热耗散层之间的阻焊层。