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    一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法
    1.
    发明授权
    一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106684205B

    公开(公告)日：2018-05-29

    申请号：CN201510744419.2

    申请日：2015-11-06

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 石梦奇 ,  李欣益 ,  王训春 ,  张玮 ,  周大勇 ,  陆宏波 ,  沈静曼

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    摘要： 本发明提供一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法，本发明所提供的多结太阳电池减反射膜的制备方法包括：步骤一、选择材料分别进行单层沉积；获得对应沉积条件下，沉积入射角与沉积速率的关系；步骤二、测量步骤一得到的各单层膜的光学参数，获得在对应沉积条件下，沉积入射角、沉积速率、光学参数的对应关系；通过仿真程序设计减反射膜结构，优化各层厚度，使得在确定总厚度及沉积条件下，整个减发射膜的平均反射率在300~1700nm范围内最小。本发明所提供的多结太阳电池减反射膜的反射率在300~1700nm内的反射率小于0.25%。

    空间用低剩磁太阳电池阵
    2.
    发明公开
    空间用低剩磁太阳电池阵 审中-实审

    公开(公告)号：CN117894866A

    公开(公告)日：2024-04-16

    申请号：CN202311686277.X

    申请日：2023-12-11

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 杨宁 ,  赵文祺 ,  吕文佳 ,  马聚沙 ,  石梦奇 ,  许祺峰 ,  杨华

    IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/044 ,  B64G1/44

    摘要： 本发明的空间用低剩磁太阳电池阵包括太阳电池阵布片电路和印制电路，太阳电池阵布片电路包括太阳电池串和隔离二极管；印制电路包括压延铜线，压延铜线的正面和背面均粘贴聚酰亚胺薄膜；太阳电池串下方至少设有一第一压延铜线，第一压延铜线从太阳电池串负极端下方起始，经太阳电池串下方、隔离二极管下方后延伸出来；在第一压延铜线延伸段旁边设有第二压延铜线，第二压延铜线的长度＝该延伸段的长度；第一压延铜线两端开窗，一端与太阳电池串的负极端连接，另一端形成太阳电池阵正极引出端；第二压延铜线两端开窗，一端与隔离二极管的阳极连接，另一端形成太阳电池阵负极引出端；太阳电池阵正极引出端、负极引出端布置方式采用镜像对称设计。

    一种在柔性工件表面选择性制备超薄涂层的简易方法
    3.
    发明公开
    一种在柔性工件表面选择性制备超薄涂层的简易方法 有权

    公开(公告)号：CN111905992A

    公开(公告)日：2020-11-10

    申请号：CN202010699403.5

    申请日：2020-07-20

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 马聚沙 ,  王凯 ,  石梦奇 ,  曹佳晔 ,  施科标 ,  张磊 ,  胡文斌 ,  姜德鹏 ,  王训春

    IPC分类号： B05D1/32

    摘要： 本发明提供了一种在柔性工件表面选择性制备超薄涂层的简易方法，包括：选用设定厚度的柔性薄膜，采用激光切割加工多边形厚度控制网格；对被涂敷柔性工件表面进行清洁及化学改性处理；将多边形厚度控制网格贴敷于柔性工件表面；对柔性工件表面非涂覆区域进行保护；将设定流动性的涂层溶液倾倒于多边形厚度控制网格中，刮去多余溶液并揭去多边形厚度控制网格；去除非涂敷区域的保护措施，静待涂层溶液固化，涂层厚度最优可控制在40μm±15μm的超薄区间。相较于使用自动化设备，该方法操作简单，可选定涂敷区域，在一定尺寸范围内涂层厚度可控性好，与使用自动化设备制备的涂层可比，可以满足快速在柔性工件表面选择性制备厚度可控超薄涂层的要求。

    一种空间用刚性太阳电池弯曲度调控方法
    4.
    发明公开
    一种空间用刚性太阳电池弯曲度调控方法 无效

    公开(公告)号：CN110299427A

    公开(公告)日：2019-10-01

    申请号：CN201910371034.4

    申请日：2019-05-06

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 沈静曼 ,  姜德鹏 ,  王训春 ,  沈斌 ,  杨洪东 ,  王凯 ,  陈超奇 ,  石梦奇

    IPC分类号： H01L31/18

    摘要： 本发明的一种空间用刚性太阳电池弯曲度调控方法，其包括以下步骤一，制作空间用锗基太阳电池；步骤二，将完成背面电极蒸镀及合金后的太阳电池置于低温处理设备中进行低温处理工艺；步骤三，将完成低温处理后的太阳电池恢复至室温。本发明一种空间用刚性太阳电池弯曲度调控方法，可以有效降低太阳电池弯曲度，有利于电池玻璃盖片粘贴、焊接及贴片等后道工序，提高太阳电池生产合格率，减少制备过程和空间环境使用时太阳电池损伤或失效现象。

    一种IBC电池制造方法
    5.
    发明公开
    一种IBC电池制造方法 无效

    公开(公告)号：CN105514184A

    公开(公告)日：2016-04-20

    申请号：CN201510887048.3

    申请日：2015-12-07

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 雷刚 ,  石梦奇 ,  曹佳晔 ,  范襄 ,  池卫英

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/1804

    摘要： 本发明公开一种IBC电池制造方法，在该制造方法中，采用碱腐蚀的方法在硅片的正面（即受光面）制作绒面陷光结构；采用离子注入的方法在硅片的背面制备出发射极和背场，离子束通过扫描的方式在硅片的特定区域有选择地进行掺杂，最终形成指状结构的发射极和背场；采用PECVD的方法在硅片的正面和背面淀积钝化层或减反射膜；采用丝网印刷的方法在硅片的背面制备电极。由于本发明采用离子注入的方法在硅片的背面直接制备出发射极和背场所需的图形，无需采用光刻技术或其他精确图形化技术，因此生产工序简单，生产成本较低。

    一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池
    6.
    发明公开
    一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池 有权

    公开(公告)号：CN104393090A

    公开(公告)日：2015-03-04

    申请号：CN201410556315.4

    申请日：2014-10-20

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 沈静曼 ,  陆宏波 ,  李欣益 ,  张玮 ,  孙利杰 ,  周大勇 ,  陈开建 ,  石梦奇

    IPC分类号： H01L31/078

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/078 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046

    摘要： 本发明公开了一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底、缓冲层、底电池、超宽带隙隧穿结、中电池、宽带隙隧穿结、顶电池以及接触层；底电池为AlGaInP电池，中电池为AlGaAs和GaInP异质结电池，顶电池为GaAs电池；中电池采用Zn掺杂的AlxGaAs作为基区，Si掺杂的GayInP作为发射区；其中0.05≤x≤0.45，0.48≤y≤0.54；底电池其背场采用梯度Zn掺杂的AlzGaInP，其中0.13≤z≤0.5。本发明提供的含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，能够降低界面复合速率，得到高质量的电池材料，同时提高电池短路电流密度和开路电压。

    一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法
    10.
    发明公开
    一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106684205A

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：CN201510744419.2

    申请日：2015-11-06

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 石梦奇 ,  李欣益 ,  王训春 ,  张玮 ,  周大勇 ,  陆宏波 ,  沈静曼

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02168

    摘要： 本发明提供一种多结太阳电池减反射膜及其制备方法，本发明所提供的多结太阳电池减反射膜的制备方法包括：步骤一、选择材料分别进行单层沉积；获得对应沉积条件下，沉积入射角与沉积速率的关系；步骤二、测量步骤一得到的各单层膜的光学参数，获得在对应沉积条件下，沉积入射角、沉积速率、光学参数的对应关系；通过仿真程序设计减反射膜结构，优化各层厚度，使得在确定总厚度及沉积条件下，整个减发射膜的平均反射率在300~1700nm范围内最小。本发明所提供的多结太阳电池减反射膜的反射率在300~1700nm内的反射率小于0.25%。