公开(公告)号：CN103700713A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310450083.X

申请日：2013-09-27

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李贤镐 ,  李暻洙 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括半导体基板、形成在半导体基板处并且包括p型杂质的p型导电区域和形成在p型导电区域上并且包括铝氧化物的钝化膜。钝化膜具有7至的厚度。

公开(公告)号：CN103700713B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201310450083.X

申请日：2013-09-27

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李贤镐 ,  李暻洙 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括半导体基板、形成在半导体基板处并且包括p型杂质的p型导电区域和形成在p型导电区域上并且包括铝氧化物的钝化膜。钝化膜具有7至17Å的厚度。