本发明的半导体存储装置的驱动方法,其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接,第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为,在除去该读出电压时,读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时,谋求读出晶体管的动作的稳定性。