Invention Grant
CN1210784C 半导体存储装置的驱动方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体存储装置的驱动方法
- Patent Title (English): Drive method for semiconductor memory device
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Application No.: CN01118832.4Application Date: 2001-06-19
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Publication No.: CN1210784CPublication Date: 2005-07-13
- Inventor: 嶋田恭博 , 加藤刚久
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 黄永奎
- Priority: 182642/2000 2000.06.19 JP; 268270/2000 2000.09.05 JP
- Main IPC: H01L21/82
- IPC: H01L21/82 ; G11C11/34

Abstract:
一种半导体存储装置的驱动方法,该半导体存储装置包括:强电介质电容器(30)、串联连接强电介质电容器(30)的读出FET(10)、以及并联连接强电介质电容器(30)的选择FET(20)。当读出储存在强电介质电容器(30)中的数据时,把低于该强电介质电容器(30)的矫顽电压的读出电压外加到强电介质电容器(30)的上电极(31)上,当除去该读出电压时,能使强电介质膜(33)的极化偏位返回到读出数据前的偏位上。提高具有强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。
Public/Granted literature
- CN1329360A 半导体存储装置的驱动方法 Public/Granted day:2002-01-02
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IPC分类: