公开(公告)号：CN1272951A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99800918.0

申请日：1999-06-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 加纳刚太 ,  嶋田恭博 ,  林慎一郎 ,  有田浩二 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  约瑟夫·D·库奇奥 ,  拉里·D·麦克米伦

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133603

Abstract: 在平板显示器中的铁电分层超晶格材料薄膜通电,选择性地影响显示器图象。在一个实施方案中,电压脉冲引起所述分层超晶格材料发射电子,这些电子撞击在磷光体上,引起磷光体发光。在另一个实施方案中,电势在分层超晶格材料中产生一个剩余极化,该剩余极化施加一个电场在液晶层上,由此影响通过该液晶的光线的透过率。所述分层超晶格材料是金属氧化物,用含有烷氧羧酸盐的本发明液态前体制成。所述薄膜厚度优选为50—140nm,这样提高了薄膜的极化度和透明性。显示器元件可以包括一个变阻器装置,以防止像素间的串扰,并使得突然的极化转换成为可能。在铁电薄膜中的功能梯度增加了电子发射。在磷光体两边各一个的两个铁电元件,可以用来提高发光性能。磷光体可以是三明治型的,夹在介电层和铁电层之间,以便增加发射。

公开(公告)号：CN1076875C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN95107541.1

申请日：1995-06-28

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  井上敦雄 ,  有田浩二 ,  那须徹 ,  长野能久 ,  松田明浩

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：形成集成电路的硅基片1，在基片1上形成的第1绝缘膜6，由在第1绝缘膜6上形成的下电极7、有高介电常数的电介质膜8和上电极9组成的电容，覆盖电容且具有各自达到下电极7和上电极9的接触孔13的第2绝缘膜11，在接触孔13的底部与下电极7和上电极9连结的扩散阻挡层17和在其上形成的布线层。在所述接触孔13底部的扩散阻挡层17中形成由粒状晶组成的层状区域。

公开(公告)号：CN1312588A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01103798.9

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  内山洁

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储器件,当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时,要在控制栅极上施加偏压,同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”,把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”,使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值,所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

公开(公告)号：CN1305230A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00131777.6

申请日：2000-10-20

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  林慎一郎 ,  内山洁 ,  田中圭介

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/88

CPC classification number: H01L29/6684 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78391

Abstract: 提供一种隧道晶体管作为用于具有非易失性存储器的半导体集成电路的小型化的有效装置。一个绝缘层淀积在一个硅基片上。一个源极和一个漏极淀积在该绝缘层上,一个提供隧道阻挡层的厚度为几个纳米的绝缘体插入源极和漏极之间。显示自发极化的一个铁电层直接淀积在源极的与绝缘体相邻的一个区域之上。采用这种结构,当铁电层在一个预定的方向极化时,至少源极的与绝缘体相邻的区域的一部分形成一个损耗区,据此有可能根据铁电层是否被极化而改变以隧道方式通过绝缘体的电流量。

公开(公告)号：CN1148262A

公开(公告)日：1997-04-23

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。