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发明公开
半导体装置和电子设备无效

公开(公告)号：CN105280625A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510293629.4

申请日：2015-06-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋山悟 , 小林宏嘉 , 猪股久雄 , 齐藤正

IPC: H01L25/07 , H01L29/808 , H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和电子设备，其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。

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