公开(公告)号：CN105280625A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510293629.4

申请日：2015-06-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋山悟 ,  小林宏嘉 ,  猪股久雄 ,  齐藤正

IPC: H01L25/07 ,  H01L29/808 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和电子设备，其改进了半导体装置的制造成品率。提供了一种共射共基耦合系统的半导体装置，其具有使用带隙大于硅的物质作为材料的多个常通的结FET，以及使用硅作为材料的常断的MOSFET。此时，半导体芯片具有由结FET以分开方式形成的多个结FET半导体芯片(半导体芯片CHP0和半导体芯片CHP9)，以及由MOSFET形成的MOSFET半导体芯片(半导体芯片CHP2)。

公开(公告)号：CN102194882A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064091.1

申请日：2011-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 猪股久雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在一个方面，半导体器件包括半导体衬底；以及晶体管元件，其包括第一导电类型漂移区和第二导电类型柱形区的并行结构以及第二导电类型基区，该晶体管元件形成在该半导体衬底上。位于元件形成区域外部的外围区具有第一导电类型漂移区和第二导电类型柱形区的并行结构、以及在基区侧处形成并与基区间隔开的第二导电类型环形扩散区。环形扩散区域的最内端及其邻近部分位于柱形区上，以及环形扩散区域的最外端位于最外围柱形区的外部。在外围区中，覆盖环形扩散区域的场绝缘膜被堆叠在半导体层上。

公开(公告)号：CN102194882B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110064091.1

申请日：2011-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 猪股久雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在一个方面，半导体器件包括半导体衬底；以及晶体管元件，其包括第一导电类型漂移区和第二导电类型柱形区的并行结构以及第二导电类型基区，该晶体管元件形成在该半导体衬底上。位于元件形成区域外部的外围区具有第一导电类型漂移区和第二导电类型柱形区的并行结构、以及在基区侧处形成并与基区间隔开的第二导电类型环形扩散区。环形扩散区域的最内端及其邻近部分位于柱形区上，以及环形扩散区域的最外端位于最外围柱形区的外部。在外围区中，覆盖环形扩散区域的场绝缘膜被堆叠在半导体层上。