公开(公告)号：CN104051509B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410065951.7

申请日：2014-02-26

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明公开了一种用于制备绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的方法包括：1）制备半导体衬底，带有第一导电类型外延层位于第二导电类型的半导体衬底上；2）利用一个栅极沟槽掩膜，打开第一沟槽和第二沟槽，然后制备一个栅极绝缘层，衬垫沟槽，并用多晶硅层填充沟槽，形成第一沟槽栅极和第二沟槽栅极；3）注入第一导电类型的掺杂物，在外延层中形成顶部重掺杂层；以及4）在第一沟槽栅极上方制备平面栅极，利用注入掩膜，注入本体掺杂物和源极掺杂物，在半导体衬底的顶面附近形成本体区和源极区。

公开(公告)号：CN104347689B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201410348222.2

申请日：2014-07-22

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/66348

摘要： 本发明提出了一种含有衬底的IGBT器件，其中衬底包括一个第一导电类型的半导体底层和一个第二导电类型的半导体底层，至少一个第一栅极形成在衬底上方的相应的第一沟槽中，至少一个第二栅极形成在衬底上方的第二沟槽中。栅极绝缘物形成在第一和第二沟槽的每个侧面，并用多晶硅填充第一和第二沟槽。第二沟槽垂直延伸到比至少一个第一沟槽更深的地方。IGBT器件还包括一个第二导电类型的本体区，在至少一个第一栅极和/或第二栅极之间，至少一个堆栈层在至少一个第一栅极的底部和半导体顶层的顶部之间。至少一个堆栈层包括一个第二导电类型的浮动本体区，在第一导电类型的浮动本体区上方。

公开(公告)号：CN104009068B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410057462.7

申请日：2014-02-20

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN104659088A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410625507.6

申请日：2014-11-07

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/083 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明的各个方面提出了一种含有IGBT器件，它包括一个或多个沟槽栅极沉积在半导体衬底上方，以及一个第一导电类型的浮动本体区，沉积在两个相邻的沟槽栅极之间，以及半导体衬底和第二导电类型的重掺杂顶区之间。沉积在顶区上方的第一导电类型的本体区掺杂浓度，高于第一导电类型的浮动本体区掺杂浓度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN104051509A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410065951.7

申请日：2014-02-26

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明公开了一种用于制备绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的方法包括：1）制备半导体衬底，带有第一导电类型外延层位于第二导电类型的半导体衬底上；2）利用一个栅极沟槽掩膜，打开第一沟槽和第二沟槽，然后制备一个栅极绝缘层，衬垫沟槽，并用多晶硅层填充沟槽，形成第一沟槽栅极和第二沟槽栅极；3）注入第一导电类型的掺杂物，在外延层中形成顶部重掺杂层；以及4）在第一沟槽栅极上方制备平面栅极，利用注入掩膜，注入本体掺杂物和源极掺杂物，在半导体衬底的顶面附近形成本体区和源极区。

公开(公告)号：CN104009068A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410057462.7

申请日：2014-02-20

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军 ,  卡西克·帕德马纳班 ,  马督儿·博德 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P-层和N-势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P-区形成在沟槽之间的顶部P-层的顶部。浮动N-区形成在P-区下方。浮动N-区的宽度等于或大于P-区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

公开(公告)号：CN104347689A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410348222.2

申请日：2014-07-22

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 胡军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/66348

摘要： 本发明提出了一种含有衬底的IGBT器件，其中衬底包括一个第一导电类型的半导体底层和一个第二导电类型的半导体底层，至少一个第一栅极形成在衬底上方的相应的第一沟槽中，至少一个第二栅极形成在衬底上方的第二沟槽中。栅极绝缘物形成在第一和第二沟槽的每个侧面，并用多晶硅填充第一和第二沟槽。第二沟槽垂直延伸到比至少一个第一沟槽更深的地方。IGBT器件还包括一个第二导电类型的本体区，在至少一个第一栅极和/或第二栅极之间，至少一个堆栈层在至少一个第一栅极的底部和半导体顶层的顶部之间。至少一个堆栈层包括一个第二导电类型的浮动本体区，在第一导电类型的浮动本体区上方。

公开(公告)号：CN102629866B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210024612.5

申请日：2012-01-19

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 安荷·叭剌 ,  雷燮光 ,  胡军 ,  王飞

IPC分类号： H03K17/687

CPC分类号： H03K17/6871 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/102 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出的开关器件包括低压常闭晶体管和控制电路，嵌在一个公共晶片内。该器件包括晶体管的源极、栅极和漏极电极，以及一个或多个辅助电极。漏极电极在晶片的一个表面上，晶体管就形成在该晶片上，而其余的电极都位于相反面的表面上。一个或多个辅助电极提供到控制电路的电接触，控制电路电连接到其他电极中的一个或多个电极。

公开(公告)号：CN102629866A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210024612.5

申请日：2012-01-19

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 安荷·叭剌 ,  雷燮光 ,  胡军 ,  王飞

IPC分类号： H03K17/687

CPC分类号： H03K17/6871 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/102 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出的开关器件包括低压常闭晶体管和控制电路，嵌在一个公共晶片内。该器件包括晶体管的源极、栅极和漏极电极，以及一个或多个辅助电极。漏极电极在晶片的一个表面上，晶体管就形成在该晶片上，而其余的电极都位于相反面的表面上。一个或多个辅助电极提供到控制电路的电接触，控制电路电连接到其他电极中的一个或多个电极。

公开(公告)号：CN105185825A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510244757.X

申请日：2015-05-14

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 马督儿·博德 ,  胡军 ,  管灵鹏 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  张磊 ,  金钟五

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/74 ,  H01L29/66325 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/7393

摘要： 半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。