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公开(公告)号：CN104779234A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410012670.5
申请日：2014-01-10
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元，芯片安装单元包括基座和一些引脚，并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近，一个芯片粘附在基座上，一个塑封体包覆基座、芯片，塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离，以便改善器件的电压爬电距离。
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公开(公告)号：CN104779234B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410012670.5
申请日：2014-01-10
申请人： 万国半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种优化爬电距离的功率器件及其制备方法。具有一个芯片安装单元，芯片安装单元包括基座和一些引脚，并排的引脚间以非等距离方式设置并位于基座的一侧缘附近，一个芯片粘附在基座上，一个塑封体包覆基座、芯片，塑封体包括一个塑封延伸部包覆引脚的至少一部分来获得引脚间的一个较好的电气安全距离，以便改善器件的电压爬电距离。
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公开(公告)号：CN102629866B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210024612.5
申请日：2012-01-19
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/6871 , H01L27/0629 , H01L27/085 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/0406 , H03K17/102 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出的开关器件包括低压常闭晶体管和控制电路，嵌在一个公共晶片内。该器件包括晶体管的源极、栅极和漏极电极，以及一个或多个辅助电极。漏极电极在晶片的一个表面上，晶体管就形成在该晶片上，而其余的电极都位于相反面的表面上。一个或多个辅助电极提供到控制电路的电接触，控制电路电连接到其他电极中的一个或多个电极。
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公开(公告)号：CN102629866A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210024612.5
申请日：2012-01-19
申请人： 万国半导体股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/6871 , H01L27/0629 , H01L27/085 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/0406 , H03K17/102 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出的开关器件包括低压常闭晶体管和控制电路，嵌在一个公共晶片内。该器件包括晶体管的源极、栅极和漏极电极，以及一个或多个辅助电极。漏极电极在晶片的一个表面上，晶体管就形成在该晶片上，而其余的电极都位于相反面的表面上。一个或多个辅助电极提供到控制电路的电接触，控制电路电连接到其他电极中的一个或多个电极。
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