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公开(公告)号：CN107546191A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610839778.0
申请日：2016-09-22
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L27/088 , H01L21/56 , H01L21/8234 , H01L21/60
Abstract: 提出一种半导体功率器件和制备方法。半导体功率器件包括引线框单元、两组或更多组单列直插引线组、两个或多个半导体芯片堆栈和一成型封装。每个半导体芯片堆栈包括一个高端半导体芯片、一个低端半导体芯片和一个将高端半导体芯片顶面连接到低端半导体芯片底面的夹片。方法包括制备具有多个引线框单元的引线框带；制备两组或更多组单列直插引线组；将两个或多个高端半导体芯片连接到每个引线框单元；将两个或多个高端半导体芯片都通过两个或多个第一夹片的各自夹片，分别连接到各自引线；将两个或多个低端半导体芯片各自的低端半导体芯片连接到两个或多个第一夹片的每个夹片上；使封装成型；并且分割引线框带和密封包装，制成半导体功率器件。
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公开(公告)号：CN105448871A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/73253
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
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公开(公告)号：CN104716129A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310694401.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及包含双MOSFET的堆叠式封装结构及其制备方法。在一芯片安装单元正面和背面分别安装有一个第一芯片和一个第二芯片，并在第一芯片上方安装有一个金属片连接到芯片安装单元的一个第二基座上。第二芯片正面的各电极上设置的金属凸块的顶端面与芯片安装单元中第一和第三基座各自引脚的底面、第二基座的底面位于同一平面。
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公开(公告)号：CN104347568A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310343088.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Abstract: 本发明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及薄型的具有良好散热效果的功率器件及其制备方法。包括芯片安装单元和第一、第二芯片及第一、第二互联结构，第一、第二芯片分别粘贴在芯片安装单元的第一、第二基座上，第一互联结构将第一芯片正面的主电极以及第二芯片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上。第二互联结构将第一芯片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。
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公开(公告)号：CN105448871B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/73253
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106571352B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201510643913.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/18161
Abstract: 本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
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公开(公告)号：CN106571352A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510643913.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/18161 , H01L24/10 , H01L24/81
Abstract: 本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
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公开(公告)号：CN107546191B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201610839778.0
申请日：2016-09-22
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L27/088 , H01L21/56 , H01L21/8234 , H01L21/60
Abstract: 提出一种半导体功率器件和制备方法。半导体功率器件包括引线框单元、两组或更多组单列直插引线组、两个或多个半导体芯片堆栈和一成型封装。每个半导体芯片堆栈包括一个高端半导体芯片、一个低端半导体芯片和一个将高端半导体芯片顶面连接到低端半导体芯片底面的夹片。方法包括制备具有多个引线框单元的引线框带；制备两组或更多组单列直插引线组；将两个或多个高端半导体芯片连接到每个引线框单元；将两个或多个高端半导体芯片都通过两个或多个第一夹片的各自夹片，分别连接到各自引线；将两个或多个低端半导体芯片各自的低端半导体芯片连接到两个或多个第一夹片的每个夹片上；使封装成型；并且分割引线框带和密封包装，制成半导体功率器件。
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公开(公告)号：CN105244347B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410318620.X
申请日：2014-07-07
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/3754 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种嵌入式封装，包含：预填塑封料的引线框架，及设置其上的若干芯片，预填塑材料填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；围绕引线框架分布设置的引脚；金属片，连接在部分芯片上；第一层压层，其包覆在芯片、引线框架、金属片和引脚上；对应引脚、以及各个芯片中用于连接各个引脚的区域处，第一层压层设有由芯片或引脚的表面至第一层压层外表面的导电结构；各个芯片需连接引脚处的导电结构与引脚或其他芯片的导电结构电性连接。本发明将多芯片嵌入在预制的引线框架上，并被包覆在层压层中通过导电结构连接，提高热性能和电性能，便于完成柔性功率和逻辑混合设计，具有三维堆叠能力，可进行系统级封装。
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公开(公告)号：CN107046010A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610082487.1
申请日：2016-02-05
Applicant: 万国半导体股份有限公司
Inventor： 张晓天 , 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 , 牛志强 , 胡照群 , 何约瑟
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置，尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域，第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接；一个第二晶片倒装在第二安装区域，第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接；一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间，一个塑封体覆盖在基板正面，将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。
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