-
公开(公告)号：CN101673723B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910164716.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装，其包含一个引线框架，该引线框架具有一个芯片键合衬垫和耦合到第一芯片键合衬垫的若干引脚。一个垂直半导体器件键合到该芯片键合衬垫。该垂直半导体器件具有一个导电衬垫，该导电衬垫通过第一键合线连接一个引脚。在第一半导体器件的导电材料层中形成有一个电绝缘的导电线路。该导电线路提供第一键合线与第二键合线之间的导电路径。或者该导电路径设置在第三键合线下方传导，以此避免了第三键合线和其他键合线之间的交叉，或者导电路径使得第一和第二键合线的长度短于最大的预设长度。
-
公开(公告)号：CN101673723A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910164716.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装，其包含一个引线框架，该引线框架具有一个芯片键合衬垫和耦合到第一芯片键合衬垫的若干引脚。一个垂直半导体器件键合到该芯片键合衬垫。该垂直半导体器件具有一个导电衬垫，该导电衬垫通过第一键合线连接一个引脚。在第一半导体器件的导电材料层中形成有一个电绝缘的导电线路。该导电线路提供第一键合线与第二键合线之间的导电路径。或者该导电路径设置在第三键合线下方传导，以此避免了第三键合线和其他键合线之间的交叉，或者导电路径使得第一和第二键合线的长度短于最大的预设长度。
-
公开(公告)号：CN106571352B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201510643913.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/18161
Abstract: 本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
-
公开(公告)号：CN106571352A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510643913.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/18161 , H01L24/10 , H01L24/81
Abstract: 本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
