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公开(公告)号：CN106373932B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201510442259.6
申请日：2015-07-24
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体器件，是提供作为功率切换开关所用的一种功率半导体封装器件及其制备方法。用一个塑封体包覆芯片、基座及第一、第二引脚，第一、第二引脚分别设置在塑封体底面一侧的两个角部位置处，并设置第一、第二引脚各自的底面皆从塑封体的底面外露。
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公开(公告)号：CN101257011B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810081909.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/00 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/183 , H01L23/552 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H05K1/0203 , H05K1/141 , H05K3/3436 , H05K3/4611 , H05K3/4697 , H05K2201/1056 , H05K2201/10674 , Y10T29/49124 , Y10T29/53174 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种功率模块，用于封装具有倒装功率MOSFET器件的电子系统。该功率模块包括正面覆盖板和键合到该正面覆盖板上的多层印刷电路板。尤其是，所述印刷电路板的正面包括多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有印刷电路迹线。在凹嵌口内设置键合到该印刷电路迹线的功率MOSFET和其他电路元件。由于电路元件被包围在功率模块内，因此该功率模块具有低分布剖面，增强的机械坚固性和屏蔽EMI/RFI的特征。另外，一些电路元件可以配备也被键合到正面覆盖板的正面键合层以实现与功率模块内部的双面键合。本发明也提供了该低分布剖面功率模块的制造方法。
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公开(公告)号：CN105448871B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/73253
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
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公开(公告)号：CN100495669C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610172046.7
申请日：2006-12-21
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L2224/05026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种共漏极双MOSFET芯片级封装以及制造该封装的方法。制造大量共漏极双MOSFET芯片级封装的方法包括以下步骤：提供具有在其上设置的大量共漏极双MOSFET器件的晶片，隔离晶片的背漏极金属表面，在每个共漏极双MOSFET器件上进行球栅阵列区的底部凸点金属化，在晶片上漏印焊料掩模以暴露球栅阵列区，回流焊料膏或预形成的焊料球以形成焊料凸点的球栅阵列，和将晶片切割成大量芯片级封装。
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公开(公告)号：CN101257011A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081909.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/00 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/183 , H01L23/552 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H05K1/0203 , H05K1/141 , H05K3/3436 , H05K3/4611 , H05K3/4697 , H05K2201/1056 , H05K2201/10674 , Y10T29/49124 , Y10T29/53174 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种功率模块，用于封装具有倒装功率MOSFET器件的电子系统。该功率模块包括正面覆盖板和键合到该正面覆盖板上的多层印刷电路板。尤其是，所述印刷电路板的正面包括多个凹嵌口，每一个凹嵌口在其底面上都具有印刷电路迹线。在凹嵌口内设置键合到该印刷电路迹线的功率MOSFET和其他电路元件。由于电路元件被包围在功率模块内，因此该功率模块具有低分布剖面，增强的机械坚固性和屏蔽EMI/RFI的特征。另外，一些电路元件可以配备也被键合到正面覆盖板的正面键合层以实现与功率模块内部的双面键合。本发明也提供了该低分布剖面功率模块的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563756B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680018779.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/3114 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/83851 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开一种制造覆晶于半导体组件封装之晶圆级无凸块式方法，其包含下列步骤：将半导体晶粒的正面进行防焊漆涂布，并利用防焊漆涂布以提供若干个栅极接触窗与若干个源极接触窗，再由凹涡的标地区域以对导线架进行图案化，依据栅极接触窗与源极接触窗的位置，以在导线架的相对位置上制造出凹涡，再将导电性的环氧树脂印刷在导线架上的凹涡中，再把导线架与半导体硅晶圆晶粒一同进行烘烤固化，并且将硅芯片切割成块状以形成半导体组件封装结构。
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公开(公告)号：CN101800209A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010121867.4
申请日：2006-06-09
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/3114 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/83851 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开一种具有凹涡结构导线架的覆晶半导体组件封装，该组件封装包括：具有若干源极凹涡和一个栅极凹涡的导线架；一个具有分别相对应于导线架源极凹涡和栅极凹涡的若干源极接触窗区域和栅极接触窗区域的半导体晶粒，该半导体晶粒覆晶于导线架上，因此，固化的导电环氧层为若干源极接触窗区域与源极凹涡和若干栅极接触窗区域与栅极凹涡之间提供了电连接和机械连接。本发明降低了半导体覆晶封装的成本，有效地降低在具有凹涡的导线架与印刷电路板之间的热膨胀错位。此外，由于提供了较大的连接面积给主机板级封装，因此，可改善组件的可靠度、热性能与电性能。
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公开(公告)号：CN101064300A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710089675.8
申请日：2007-03-26
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/19042 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种功率MOSFET封装。该功率MOSFET封装包括一个引线框架，其第一和第二模垫片相互绝缘，且所述第一模垫片与第一漏引线、所述第二模垫片与第二漏引线连接；一个第一MOSFET器件，其漏接触与第一模垫片连接，栅接触与第一栅引线连接，源接触与第二模垫片连接；一个第二MOSFET器件，其漏接触与第二模垫片连接，栅接触与第二栅引线连接，源接触与源引线连接；和一种密封剂，它基本上将引线框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二栅引线、第一和第二漏引线以及源引线密封。
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公开(公告)号：CN106373932A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510442259.6
申请日：2015-07-24
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体器件，是提供作为功率切换开关所用的一种功率半导体封装器件及其制备方法。用一个塑封体包覆芯片、基座及第一、第二引脚，第一、第二引脚分别设置在塑封体底面一侧的两个角部位置处，并设置第一、第二引脚各自的底面皆从塑封体的底面外露。
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公开(公告)号：CN105448871A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410407065.8
申请日：2014-08-18
Applicant: 万国半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/73253
Abstract: 本发明主要涉及功率半导体封装，更确切地说，是设计一种具备高效散热功效和具有超薄尺寸的功率半导体及其制备方法。在薄膜层覆盖于金属基座的上置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的数个接触孔，在薄膜层覆盖于金属基座的下置部分上表面之上的区域设置贯穿薄膜层的至少一个开口，芯片粘贴于开口处，其中上置部分的上表面暴露于每个接触孔的区域处皆安置有一个金属凸块，并且芯片顶面的每个电极之上也至少安置有一个金属凸块。
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